창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-TPCA8026(TE12L,Q,M | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | TPCA8026 Mosfets Prod Guide | |
카탈로그 페이지 | 1649 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 견적 필요 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 45A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.2m옴 @ 23A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 113nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4200pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 45W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력VDFN | |
공급 장치 패키지 | 8-SOP Advance | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | TPCA8026TE12LQMTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | TPCA8026(TE12L,Q,M | |
관련 링크 | TPCA8026(, TPCA8026(TE12L,Q,M Datasheet, Toshiba Semiconductor and Storage Distributor |
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![]() | SMH35VN123M30X35T2 | 12000µF 35V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 35 mOhm 2000 Hrs @ 85°C | SMH35VN123M30X35T2.pdf | |
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![]() | 416F32033IDT | 32MHz ±30ppm 수정 18pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F32033IDT.pdf | |
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![]() | HRG3216P-6811-D-T1 | RES SMD 6.81K OHM 0.5% 1W 1206 | HRG3216P-6811-D-T1.pdf | |
![]() | CMF60100R00FER6 | RES 100 OHM 1W 1% AXIAL | CMF60100R00FER6.pdf | |
![]() | PPT0100GRF5VB | Pressure Sensor 100 PSI (689.48 kPa) Vented Gauge Male - 0.13" (3.18mm) Tube, Filter 0 V ~ 5 V Module Cube | PPT0100GRF5VB.pdf |