Toshiba Semiconductor and Storage TPCF8302(TE85L,F,M
- 제조업체 부품 번호
- TPCF8302(TE85L,F,M
- 제조업 자
- Toshiba Semiconductor and Storage
- 제품 카테고리
- FET - 어레이
- 간단한 설명
- MOSFET 2P-CH 20V 3A VS-8
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
TPCF8302(TE85L,F,M 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- N/A
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of TPCF8302(TE85L,F,M, we specialize in all series Toshiba Semiconductor and Storage electronic components. TPCF8302(TE85L,F,M can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TPCF8302(TE85L,F,M, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- TPCF8302(TE85L,F,M 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
TPCF8302(TE85L,F,M 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-TPCF8302(TE85L,F,M | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | TPCF8302 Mosfets Prod Guide | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 컷 테이프(CT) | |
| 부품 현황 | 판매 중단 | |
| FET 유형 | 2 P-Chan(이중) | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 59m옴 @ 1.5A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.2V @ 200µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 11nC(5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 800pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 330mW | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-SMD, 평면 리드 | |
| 공급 장치 패키지 | VS-8(2.9x1.9) | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 다른 이름 | TPCF8302(TE85LFMCT TPCF8302FCT TPCF8302FCT-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | TPCF8302(TE85L,F,M | |
| 관련 링크 | TPCF8302(, TPCF8302(TE85L,F,M Datasheet, Toshiba Semiconductor and Storage Distributor | |
TPCF8302(TE85L,F,M 의 관련 제품
 | DEA1X3D820JB2B | 82pF 2000V(2kV) 세라믹 커패시터 SL 방사형, 디스크 0.276" Dia(7.00mm) | DEA1X3D820JB2B.pdf | |
 | VJ0402D2R0BXXAC | 2pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D2R0BXXAC.pdf | |
 | DMT4P1K | 0.1µF Film Capacitor 200V 400V Polyester, Metallized Radial 0.882" L x 0.472" W (22.40mm x 12.00mm) | DMT4P1K.pdf | |
-Pkg.jpg) | CZRFR24VB-HF | DIODE ZENER 24V 200MW 1005 | CZRFR24VB-HF.pdf | |
 | LQH31CN2R2M03L | 2.2µH Unshielded Wirewound Inductor 430mA 533 mOhm Max 1206 (3216 Metric) | LQH31CN2R2M03L.pdf | |
 | 55082703400 | 27nH Unshielded Wirewound Inductor 600mA 90 mOhm Max 0805 (2012 Metric) | 55082703400.pdf | |
.jpg) | RE1206FRE07300RL | RES SMD 300 OHM 1% 1/4W 1206 | RE1206FRE07300RL.pdf | |
,-J-Lead.jpg) | SMF5160KJT | RES SMD 160K OHM 5% 5W 5329 | SMF5160KJT.pdf | |
 | TNPU0603383RBZEN00 | RES SMD 383 OHM 0.1% 1/10W 0603 | TNPU0603383RBZEN00.pdf | |
 | RCP1206W36R0GEC | RES SMD 36 OHM 2% 11W 1206 | RCP1206W36R0GEC.pdf | |
 | H480K6FYA | RES 80.6K OHM 1/2W 1% AXIAL | H480K6FYA.pdf | |
| MAF95022 | 868MHz, 920MHz, 1.8GHz, 1.9GHz GSM, WLAN PCB Trace RF Antenna 868MHz, 880MHz ~ 960MHz, 1.71GHz ~ 1.88GHz, 1.85GHz ~ 1.99GHz 1dBi Connector, MMS Surface Mount | MAF95022.pdf |
