창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-TPH1110FNH,L1Q | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | TPH1110FNH | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 250V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 10A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 112m옴 @ 5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 300µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 11nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1100pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 57W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력VDFN | |
공급 장치 패키지 | 8-SOP Advance | |
표준 포장 | 5,000 | |
다른 이름 | TPH1110FNH,L1Q(M TPH1110FNH,L1QTR TPH1110FNH,L1QTR-ND TPH1110FNHL1QTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | TPH1110FNH,L1Q | |
관련 링크 | TPH1110, TPH1110FNH,L1Q Datasheet, Toshiba Semiconductor and Storage Distributor |
![]() | 125173U015AA1B | ALUM-SCREW TERMINAL | 125173U015AA1B.pdf | |
![]() | CL05B821KB5NNNC | 820pF 50V 세라믹 커패시터 X7R 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | CL05B821KB5NNNC.pdf | |
![]() | C901U360JYSDAAWL45 | 36pF 400VAC 세라믹 커패시터 SL 방사형, 디스크 0.276" Dia(7.00mm) | C901U360JYSDAAWL45.pdf | |
![]() | SMCJ100CA-13-F | TVS DIODE 100VWM 162VC SMC | SMCJ100CA-13-F.pdf | |
![]() | SST2222AT116 | TRANS NPN 40V 0.6A SST3 | SST2222AT116.pdf | |
![]() | IGP03N120H2XKSA1 | IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO220-3 | IGP03N120H2XKSA1.pdf | |
![]() | NTS508-CF | AC/DC CONVERTER 48V 200W | NTS508-CF.pdf | |
![]() | 1008R-682K | 6.8µH Unshielded Inductor 274mA 2 Ohm Max 2-SMD | 1008R-682K.pdf | |
![]() | RT0603DRD073K83L | RES SMD 3.83KOHM 0.5% 1/10W 0603 | RT0603DRD073K83L.pdf | |
4608X-102-474LF | RES ARRAY 4 RES 470K OHM 8SIP | 4608X-102-474LF.pdf | ||
![]() | Y00072K50000B9L | RES 2.5K OHM 0.6W 0.1% RADIAL | Y00072K50000B9L.pdf | |
![]() | C100F153K | NTC Thermistor 15k Bead | C100F153K.pdf |