창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-TPH3R203NL,L1Q | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | TPH3R203NL | |
주요제품 | U-MOSⅧ-H MOSFETs | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 47A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.2m옴 @ 23.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.3V @ 300µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 21nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2100pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 44W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력VDFN | |
공급 장치 패키지 | 8-SOP Advance | |
표준 포장 | 5,000 | |
다른 이름 | TPH3R203NL,L1Q(M TPH3R203NL,L1QTR TPH3R203NL,L1QTR-ND TPH3R203NLL1QTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | TPH3R203NL,L1Q | |
관련 링크 | TPH3R20, TPH3R203NL,L1Q Datasheet, Toshiba Semiconductor and Storage Distributor |
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![]() | 416F250X3IAT | 25MHz ±15ppm 수정 10pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F250X3IAT.pdf | |
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![]() | TNPU0603215RAZEN00 | RES SMD 215 OHM 0.05% 1/10W 0603 | TNPU0603215RAZEN00.pdf | |
![]() | PPT0500DFR2VA | Pressure Sensor ±500 PSI (±3447.38 kPa) Differential Male - 0.13" (3.18mm) Tube, Filter 0 V ~ 5 V Module Cube | PPT0500DFR2VA.pdf |