창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-TPHR6503PL,L1Q | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | ||
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | TPHR6503PL | |
주요제품 | 30 V and 40 V Ultra-High Efficiency MOSFETs | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 신제품 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 150A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 0.65m옴@ 50A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.1V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 110nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 10000pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 960mW | |
작동 온도 | 175°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력VDFN | |
공급 장치 패키지 | 8-SOP Advance | |
표준 포장 | 5,000 | |
다른 이름 | TPHR6503PL,L1Q(M TPHR6503PLL1QTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | TPHR6503PL,L1Q | |
관련 링크 | TPHR650, TPHR6503PL,L1Q Datasheet, Toshiba Semiconductor and Storage Distributor |
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![]() | RNF14GTD2K20 | RES 2.2K OHM 1/4W 2% AXIAL | RNF14GTD2K20.pdf | |
![]() | P51-1000-S-B-I12-5V-000-000 | Pressure Sensor 1000 PSI (6894.76 kPa) Sealed Gauge Male - 1/8" (3.18mm) NPT 1 V ~ 5 V Cylinder | P51-1000-S-B-I12-5V-000-000.pdf | |
![]() | LHIRD2-N-GY | INFRARED WALL SWITCH SENSOR | LHIRD2-N-GY.pdf |