Toshiba Semiconductor and Storage TPN1110ENH,L1Q
- 제조업체 부품 번호
- TPN1110ENH,L1Q
- 제조업 자
- Toshiba Semiconductor and Storage
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
TPN1110ENH,L1Q 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 726.31280
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of TPN1110ENH,L1Q, we specialize in all series Toshiba Semiconductor and Storage electronic components. TPN1110ENH,L1Q can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TPN1110ENH,L1Q, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- TPN1110ENH,L1Q 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
TPN1110ENH,L1Q 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-TPN1110ENH,L1Q | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | TPN1110ENH | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7.2A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 114m옴 @ 3.6A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 200µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 7nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 600pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 39W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력VDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 8-TSON 고급 | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 다른 이름 | TPN1110ENH,L1Q(M TPN1110ENHL1QTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | TPN1110ENH,L1Q | |
| 관련 링크 | TPN1110, TPN1110ENH,L1Q Datasheet, Toshiba Semiconductor and Storage Distributor | |
TPN1110ENH,L1Q 의 관련 제품
 | VJ0603D1R9DXBAJ | 1.9pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D1R9DXBAJ.pdf | |
 | B32360A4606J80 | 60µF Film Capacitor 480V Polypropylene (PP), Metallized Radial, Can 2.500" Dia (63.50mm) | B32360A4606J80.pdf | |
| 0263.500VXL | FUSE BRD MNT 500MA 250VAC AXIAL | 0263.500VXL.pdf | |
| 2N4859JAN02 | JFET N-CH 30V 360MW TO-18 | 2N4859JAN02.pdf | |
| CTX500-2-52-R | 500µH Unshielded Toroidal Inductor 3.1A 183 mOhm Max Radial | CTX500-2-52-R.pdf | |
.jpg) | AC0603JR-0782KL | RES SMD 82K OHM 5% 1/10W 0603 | AC0603JR-0782KL.pdf | |
.jpg) | AR0805FR-075R23L | RES SMD 5.23 OHM 1% 1/8W 0805 | AR0805FR-075R23L.pdf | |
 | PAT0603E7961BST1 | RES SMD 7.96KOHM 0.1% 0.15W 0603 | PAT0603E7961BST1.pdf | |
 | HVC2512Z1007JET | RES SMD 1G OHM 5% 1W 2512 | HVC2512Z1007JET.pdf | |
| H4127RBYA | RES 127 OHM 1/2W 0.1% AXIAL | H4127RBYA.pdf | |
 | Y00077K76000T0L | RES 7.76K OHM 0.6W 0.01% RADIAL | Y00077K76000T0L.pdf | |
| P51-100-G-D-I12-4.5V-000-000 | Pressure Sensor 100 PSI (689.48 kPa) Vented Gauge Male - 7/16" (11.11mm) UNF 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-100-G-D-I12-4.5V-000-000.pdf |
