Toshiba Semiconductor and Storage TPN1600ANH,L1Q
- 제조업체 부품 번호
- TPN1600ANH,L1Q
- 제조업 자
- Toshiba Semiconductor and Storage
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N CH 100V 17A 8TSON-ADV
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
TPN1600ANH,L1Q 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 518.91840
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of TPN1600ANH,L1Q, we specialize in all series Toshiba Semiconductor and Storage electronic components. TPN1600ANH,L1Q can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TPN1600ANH,L1Q, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- TPN1600ANH,L1Q 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
TPN1600ANH,L1Q 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-TPN1600ANH,L1Q | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | TPN1600ANH | |
| 주요제품 | U-MOSⅧ-H MOSFETs | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 17A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 16m옴 @ 8.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 200µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 19nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1600pF @ 50V | |
| 전력 - 최대 | 700mW | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력VDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 8-TSON 고급 | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 다른 이름 | TPN1600ANH,L1Q(M TPN1600ANHL1QTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | TPN1600ANH,L1Q | |
| 관련 링크 | TPN1600, TPN1600ANH,L1Q Datasheet, Toshiba Semiconductor and Storage Distributor | |
TPN1600ANH,L1Q 의 관련 제품
 | 517D476M035AA6AE3 | 47µF 35V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 105°C | 517D476M035AA6AE3.pdf | |
 | 334PSB152K2J | 0.33µF Film Capacitor 575V 1500V (1.5kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.673" L x 0.866" W (42.50mm x 22.00mm) | 334PSB152K2J.pdf | |
 | BK/ABC-30 | FUSE CERAMIC 30A 125VAC/VDC 3AB | BK/ABC-30.pdf | |
 | 445C3XH20M00000 | 20MHz ±30ppm 수정 32pF 40옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445C3XH20M00000.pdf | |
| SIT9003AC-13-33EO-66.00000X | OSC XO 3.3V 66MHZ OE -0.50% | SIT9003AC-13-33EO-66.00000X.pdf | |
 | T610T-8T | TRIAC 800V 6A 10MA TO-220AB | T610T-8T.pdf | |
 | BLM7G1822S-40PBGY | FET RF 2CH 65V 2.17GHZ 16HSOP | BLM7G1822S-40PBGY.pdf | |
| S0603-56NG3S | 56nH Unshielded Wirewound Inductor 600mA 340 mOhm Max 0603 (1608 Metric) | S0603-56NG3S.pdf | |
| Y406268R0000A0R | RES SMD 68 OHM 0.05% 0.3W 0805 | Y406268R0000A0R.pdf | |
| CMF70110R00FKEK | RES 110 OHM 1.75W 1% AXIAL | CMF70110R00FKEK.pdf | |
| Y0078200R000F9L | RES 200 OHM .3W 1% RADIAL | Y0078200R000F9L.pdf | |
 | TFPT0805L1000KZ | PTC Thermistor 100 Ohm 0805 (2012 Metric) | TFPT0805L1000KZ.pdf |
