Toshiba Semiconductor and Storage TPN2010FNH,L1Q
- 제조업체 부품 번호
- TPN2010FNH,L1Q
- 제조업 자
- Toshiba Semiconductor and Storage
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 250V 5.6A 8TSON
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
TPN2010FNH,L1Q 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 674.59392
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of TPN2010FNH,L1Q, we specialize in all series Toshiba Semiconductor and Storage electronic components. TPN2010FNH,L1Q can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TPN2010FNH,L1Q, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- TPN2010FNH,L1Q 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
TPN2010FNH,L1Q 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-TPN2010FNH,L1Q | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | TPN2010FNH | |
| 주요제품 | U-MOSⅧ-H MOSFETs | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 250V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5.6A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 198m옴 @ 2.8A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 200µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 7nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 600pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 39W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력VDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 8-TSON 고급 | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 다른 이름 | TPN2010FNH,L1Q(M TPN2010FNHL1QTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | TPN2010FNH,L1Q | |
| 관련 링크 | TPN2010, TPN2010FNH,L1Q Datasheet, Toshiba Semiconductor and Storage Distributor | |
TPN2010FNH,L1Q 의 관련 제품
 | GJM0335C1E9R7CB01J | 9.7pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | GJM0335C1E9R7CB01J.pdf | |
 | 08053A102JAT2A | 1000pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.01mm x 1.25mm) | 08053A102JAT2A.pdf | |
 | ECQ-E2185KFB | 1.8µF Film Capacitor 250V Polyester, Metallized Radial 1.024" L x 0.295" W (26.00mm x 7.50mm) | ECQ-E2185KFB.pdf | |
 | SGNMNC3253 | 5 ~ 25pF Trimmer Capacitor 3000V (3kV) Chassis Mount Round - 0.710" Dia (18.03mm) | SGNMNC3253.pdf | |
 | 0034.7105 | FUSE BRD MNT 100MA 250VAC RADIAL | 0034.7105.pdf | |
| GSOT15-G3-18 | TVS DIODE 15VWM 28.8VC SOT23 | GSOT15-G3-18.pdf | |
 | SMCJ51CA-M3/9AT | TVS DIODE 51VWM 82.4VC DO-214AB | SMCJ51CA-M3/9AT.pdf | |
 | SMM4F33A-TR | TVS DIODE 33VWM 69.7VC DO222AA | SMM4F33A-TR.pdf | |
 | 416F50033ATT | 50MHz ±30ppm 수정 6pF 100옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F50033ATT.pdf | |
 | DF02SA-E3/45 | DIODE GPP 1A 200V 4SMD | DF02SA-E3/45.pdf | |
 | SRR0906-822YL | 8.2mH Shielded Wirewound Inductor 80mA 31 Ohm Max Nonstandard | SRR0906-822YL.pdf | |
 | RMCF1206FG56K2 | RES SMD 56.2K OHM 1% 1/4W 1206 | RMCF1206FG56K2.pdf |
