Toshiba Semiconductor and Storage TPN3300ANH,LQ
- 제조업체 부품 번호
- TPN3300ANH,LQ
- 제조업 자
- Toshiba Semiconductor and Storage
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 100V 9.4A 8TSON
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
TPN3300ANH,LQ 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 348.41664
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of TPN3300ANH,LQ, we specialize in all series Toshiba Semiconductor and Storage electronic components. TPN3300ANH,LQ can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TPN3300ANH,LQ, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- TPN3300ANH,LQ 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
TPN3300ANH,LQ 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-TPN3300ANH,LQ | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | TPN3300ANH | |
| 주요제품 | U-MOSⅧ-H MOSFETs | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 9.4A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 33m옴 @ 4.7A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 100µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 11nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 880pF @ 50V | |
| 전력 - 최대 | 27W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력VDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 8-TSON 고급 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | TPN3300ANH,LQ(S TPN3300ANHLQ TPN3300ANHLQTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | TPN3300ANH,LQ | |
| 관련 링크 | TPN330, TPN3300ANH,LQ Datasheet, Toshiba Semiconductor and Storage Distributor | |
TPN3300ANH,LQ 의 관련 제품
 | CGB2A1X7S0J105M033BC | 1µF 6.3V 세라믹 커패시터 X7S 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | CGB2A1X7S0J105M033BC.pdf | |
.jpg) | CC0603KRX7R9BB822 | 8200pF 50V 세라믹 커패시터 X7R 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | CC0603KRX7R9BB822.pdf | |
 | VJ0603D241MXXAJ | 240pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D241MXXAJ.pdf | |
 | 416F40612ADR | 40.61MHz ±10ppm 수정 18pF 100옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F40612ADR.pdf | |
 | SDM1L30BLP-13 | DIODE SCHOTTKY W-DFN5060-4 | SDM1L30BLP-13.pdf | |
 | SM0603AC | Amber 607nm LED Indication - Discrete 2V 0603 (1608 Metric) | SM0603AC.pdf | |
 | THS10330RJ | RES CHAS MNT 330 OHM 5% 10W | THS10330RJ.pdf | |
.jpg) | RMCF2512JT5M60 | RES SMD 5.6M OHM 5% 1W 2512 | RMCF2512JT5M60.pdf | |
 | AC03000001101JAC00 | RES 1.1K OHM 3W 5% AXIAL | AC03000001101JAC00.pdf | |
| EP5W100RJ | RES 100 OHM 5W 5% AXIAL | EP5W100RJ.pdf | |
| IMM2584M12 | Inductive Proximity Sensor 0.157" (4mm) IP67 Cylinder, Threaded - M8 | IMM2584M12.pdf | |
 | EMC1183-A-AIA-TR | SENSOR TEMPERATURE SMBUS 10DFN | EMC1183-A-AIA-TR.pdf |
