Toshiba Semiconductor and Storage TPW4R008NH,L1Q
- 제조업체 부품 번호
- TPW4R008NH,L1Q
- 제조업 자
- Toshiba Semiconductor and Storage
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 80V 116A 8DSOP
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
TPW4R008NH,L1Q 가격 및 조달
가능 수량
6150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 867.33504
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of TPW4R008NH,L1Q, we specialize in all series Toshiba Semiconductor and Storage electronic components. TPW4R008NH,L1Q can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TPW4R008NH,L1Q, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- TPW4R008NH,L1Q 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
TPW4R008NH,L1Q 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-TPW4R008NH,L1Q | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | TPW4R008NH | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 80V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 116A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4m옴 @ 50A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 59nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5300pF @ 40V | |
| 전력 - 최대 | 800mW | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력WDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 8-DSOP 고급 | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 다른 이름 | TPW4R008NH,L1Q(M TPW4R008NHL1QTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | TPW4R008NH,L1Q | |
| 관련 링크 | TPW4R00, TPW4R008NH,L1Q Datasheet, Toshiba Semiconductor and Storage Distributor | |
TPW4R008NH,L1Q 의 관련 제품
 | RCE5C1H183J1K1H03B | 0.018µF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.157" L x 0.098" W(4.00mm x 2.50mm) | RCE5C1H183J1K1H03B.pdf | |
 | C0402C271M8RACTU | 270pF 10V 세라믹 커패시터 X7R 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | C0402C271M8RACTU.pdf | |
 | MKP1841422404V | 0.22µF Film Capacitor 220V 400V Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.024" L x 0.335" W (26.00mm x 8.50mm) | MKP1841422404V.pdf | |
 | ASTMUPLPFL-156.250MHZ-LJ-E-T | 156.25MHz LVPECL MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.63 V 69mA Enable/Disable | ASTMUPLPFL-156.250MHZ-LJ-E-T.pdf | |
| S0402-33NJ1B | 33nH Unshielded Wirewound Inductor 400mA 370 mOhm Max 0402 (1005 Metric) | S0402-33NJ1B.pdf | |
 | 4N29SM | Optoisolator Darlington with Base Output 4170Vrms 1 Channel 6-SMD | 4N29SM.pdf | |
 | CRCW201022R0JNEF | RES SMD 22 OHM 5% 3/4W 2010 | CRCW201022R0JNEF.pdf | |
.jpg) | RT1206BRE07649RL | RES SMD 649 OHM 0.1% 1/4W 1206 | RT1206BRE07649RL.pdf | |
 | RG3216N-3653-W-T1 | RES SMD 365K OHM 0.05% 1/4W 1206 | RG3216N-3653-W-T1.pdf | |
 | 4816P-T01-682LF | RES ARRAY 8 RES 6.8K OHM 16SOIC | 4816P-T01-682LF.pdf | |
| P51-15-A-L-I12-4.5OVP-000-000 | Pressure Sensor 15 PSI (103.42 kPa) Absolute Female - M10 x 1.25 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-15-A-L-I12-4.5OVP-000-000.pdf | |
| P51-2000-A-C-P-20MA-000-000 | Pressure Sensor 2000 PSI (13789.51 kPa) Absolute Male - M12 x 1.5 4 mA ~ 20 mA Cylinder | P51-2000-A-C-P-20MA-000-000.pdf |
