Toshiba Semiconductor and Storage TPW4R50ANH,L1Q
- 제조업체 부품 번호
- TPW4R50ANH,L1Q
- 제조업 자
- Toshiba Semiconductor and Storage
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 100V 92A 8DSOP
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
TPW4R50ANH,L1Q 가격 및 조달
가능 수량
6150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 809.51270
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of TPW4R50ANH,L1Q, we specialize in all series Toshiba Semiconductor and Storage electronic components. TPW4R50ANH,L1Q can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TPW4R50ANH,L1Q, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- TPW4R50ANH,L1Q 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
TPW4R50ANH,L1Q 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-TPW4R50ANH,L1Q | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | TPW4R50ANH | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 92A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.5m옴 @ 46A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 58nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5200pF @ 50V | |
| 전력 - 최대 | 800mW | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력WDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 8-DSOP 고급 | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 다른 이름 | TPW4R50ANH,L1Q(M TPW4R50ANHL1QTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | TPW4R50ANH,L1Q | |
| 관련 링크 | TPW4R50, TPW4R50ANH,L1Q Datasheet, Toshiba Semiconductor and Storage Distributor | |
TPW4R50ANH,L1Q 의 관련 제품
 | EET-UQ2W221BA | 220µF 450V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 904 mOhm @ 120Hz 2000 Hrs @ 85°C | EET-UQ2W221BA.pdf | |
 | VJ1210A391KBCAT4X | 390pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1210(3225 미터법) 0.132" L x 0.098" W(3.35mm x 2.50mm) | VJ1210A391KBCAT4X.pdf | |
 | B32524R6225J | 2.2µF Film Capacitor 200V 400V Polyester, Polyethylene Terephthalate (PET), Metallized Radial 1.240" L x 0.433" W (31.50mm x 11.00mm) | B32524R6225J.pdf | |
 | SMBJ51CAHE3/5B | TVS DIODE 51VWM 82.4VC SMB | SMBJ51CAHE3/5B.pdf | |
 | PG0016.154NL | 150µH Unshielded Wirewound Inductor 400mA 1.25 Ohm 2420 (6050 Metric) | PG0016.154NL.pdf | |
 | SCIHP1367-2R2M | 2.2µH Shielded Inductor 20A 4.2 mOhm Max Nonstandard | SCIHP1367-2R2M.pdf | |
 | ERA-2APB6190X | RES SMD 619 OHM 0.1% 1/16W 0402 | ERA-2APB6190X.pdf | |
.jpg) | RT0805DRD074K75L | RES SMD 4.75K OHM 0.5% 1/8W 0805 | RT0805DRD074K75L.pdf | |
 | PTN1206E1202BST1 | RES SMD 12K OHM 0.1% 0.4W 1206 | PTN1206E1202BST1.pdf | |
 | CB5JB5R10 | RES 5.1 OHM 5W 5% CERAMIC WW | CB5JB5R10.pdf | |
| Y006228R8000B9L | RES 28.8 OHM 0.6W 0.1% RADIAL | Y006228R8000B9L.pdf | |
 | MF1S5030XDA4/V1J | RFID Transponder IC 13.56MHz ISO 14443, MIFARE UART MOA4, Smart Card Module | MF1S5030XDA4/V1J.pdf |
