창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-TSX-3225 27.0000MF10Z-K6 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | FA-238(V), TSX-3225 Series | |
제품 교육 모듈 | Crystals | |
종류 | 수정 및 발진기 | |
제품군 | 수정 | |
제조업체 | EPSON | |
계열 | TSX-3225 | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
유형 | MHz 수정 | |
주파수 | 27MHz | |
주파수 안정도 | ±10ppm | |
주파수 허용 오차 | ±10ppm | |
부하 정전 용량 | 10pF | |
등가 직렬 저항(ESR) | 40옴 | |
작동 모드 | 기본 | |
작동 온도 | -20°C ~ 75°C | |
등급 | - | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | |
크기/치수 | 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | |
높이 | 0.024"(0.60mm) | |
표준 포장 | 2,000 | |
다른 이름 | X1E000021015300 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | TSX-3225 27.0000MF10Z-K6 | |
관련 링크 | TSX-3225 27., TSX-3225 27.0000MF10Z-K6 Datasheet, EPSON Distributor |
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![]() | 06031U3R3BAT2A | 3.3pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.060" L x 0.030" W(1.52mm x 0.76mm) | 06031U3R3BAT2A.pdf | |
![]() | VJ0805D511MXXAJ | 510pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D511MXXAJ.pdf | |
![]() | MKP385256160JC02R0 | 5600pF Film Capacitor 550V 1600V (1.6kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.492" L x 0.236" W (12.50mm x 6.00mm) | MKP385256160JC02R0.pdf | |
![]() | SIT1602BC-31-18E-40.000000T | OSC XO 1.8V 40MHZ OE | SIT1602BC-31-18E-40.000000T.pdf | |
![]() | VS-150U120DM12 | DIODE GP 1200V 150A DO-8 | VS-150U120DM12.pdf | |
![]() | MM3Z6V2C | DIODE ZENER 6.2V 200MW SOD323F | MM3Z6V2C.pdf | |
![]() | 744065470 | 47µH Shielded Wirewound Inductor 1.4A 230 mOhm Max Nonstandard | 744065470.pdf | |
![]() | AC0603JR-075R1L | RES SMD 5.1 OHM 5% 1/10W 0603 | AC0603JR-075R1L.pdf | |
![]() | TNPW0805176RBEEA | RES SMD 176 OHM 0.1% 1/8W 0805 | TNPW0805176RBEEA.pdf | |
![]() | NRF24AP2-USBQ32-R7 | IC RF TxRx Only General ISM > 1GHZ 2.4GHz 32-VFQFN Exposed Pad | NRF24AP2-USBQ32-R7.pdf | |
![]() | 203JG1F | NTC Thermistor 20k DO-204AH, DO-35, Axial | 203JG1F.pdf |