Rohm Semiconductor TT8U2TCR
- 제조업체 부품 번호
- TT8U2TCR
- 제조업 자
- Rohm Semiconductor
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET P-CH 20V 2.4A TSST8
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
TT8U2TCR 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 304.55567
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of TT8U2TCR, we specialize in all series Rohm Semiconductor electronic components. TT8U2TCR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TT8U2TCR, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- TT8U2TCR 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
TT8U2TCR 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-TT8U2TCR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | TT8U2 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 쇼트키, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 다이오드(절연), 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2.4A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 105m옴 @ 2.4A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 6.7nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 850pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 1.25W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-SMD, 평면 리드 | |
| 공급 장치 패키지 | 8-TSST | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | TT8U2TCR | |
| 관련 링크 | TT8U, TT8U2TCR Datasheet, Rohm Semiconductor Distributor | |
TT8U2TCR 의 관련 제품
 | EMLF6R3ADA102MJA0G | 1000µF 6.3V Aluminum Capacitors Radial, Can - SMD 10000 Hrs @ 105°C | EMLF6R3ADA102MJA0G.pdf | |
 | 06035C392JAT4A | 3900pF 50V 세라믹 커패시터 X7R 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.032" W(1.60mm x 0.81mm) | 06035C392JAT4A.pdf | |
 | C901U360JYSDBAWL40 | 36pF 400VAC 세라믹 커패시터 SL 방사형, 디스크 0.276" Dia(7.00mm) | C901U360JYSDBAWL40.pdf | |
| MKP383451025JIM2T0 | 0.51µF Film Capacitor 125V 250V Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.024" L x 0.335" W (26.00mm x 8.50mm) | MKP383451025JIM2T0.pdf | |
 | 416F38435IDR | 38.4MHz ±30ppm 수정 18pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F38435IDR.pdf | |
| SIT8209AC-82-33E-125.000000T | OSC XO 3.3V 125MHZ OE | SIT8209AC-82-33E-125.000000T.pdf | |
| LQH32PB470MN0L | 47µH Shielded Wirewound Inductor 310mA 2.14 Ohm Max 1210 (3225 Metric) | LQH32PB470MN0L.pdf | |
.jpg) | ERA-8APB3321V | RES SMD 3.32K OHM 0.1% 1/4W 1206 | ERA-8APB3321V.pdf | |
.jpg) | AR0603FR-076K34L | RES SMD 6.34K OHM 1% 1/10W 0603 | AR0603FR-076K34L.pdf | |
 | MRS16000C2201FRP00 | RES 2.2K OHM 0.4W 1% AXIAL | MRS16000C2201FRP00.pdf | |
 | MAX2620EUA-T | RF IC RF Oscillator Cellular, WSM, NPCS 10MHz ~ 1GHz Buffered Outputs 8-uMAX | MAX2620EUA-T.pdf | |
 | HUM-900-RC | RF TXRX MODULE ISM<1GHZ | HUM-900-RC.pdf |
