창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-UCX1A221MCL1GS | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | UCX Series Chip Type Tape Spec Aluminum Electrolytic Land, Reflow | |
제품 교육 모듈 | Industrial Power Capacitor | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 알루미늄 커패시터 | |
제조업체 | Nichicon | |
계열 | UCX | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
정전 용량 | 220µF | |
허용 오차 | ±20% | |
정격 전압 | 10V | |
등가 직렬 저항(ESR) | 200m옴 | |
수명 @ 온도 | 2000시간(135°C) | |
작동 온도 | -40°C ~ 135°C | |
분극 | 극성 | |
응용 제품 | 범용 | |
리플 전류 | 135mA @ 1201Hz | |
임피던스 | - | |
리드 간격 | - | |
크기/치수 | 0.315" Dia(8.00mm) | |
높이 - 장착(최대) | 0.413"(10.50mm) | |
표면 실장 면적 크기 | 0.327" L x 0.327" W(8.30mm x 8.30mm) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 레이디얼, Can - SMD | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | 493-6990-2 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | UCX1A221MCL1GS | |
관련 링크 | UCX1A22, UCX1A221MCL1GS Datasheet, Nichicon Distributor |
B43644E2228M000 | 2200µF 250V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 50 mOhm @ 100Hz 5000 Hrs @ 105°C | B43644E2228M000.pdf | ||
5KP160C | TVS DIODE 160VWM 271.95VC AXIAL | 5KP160C.pdf | ||
7B-30.000MAAJ-T | 30MHz ±30ppm 수정 18pF 40옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 7B-30.000MAAJ-T.pdf | ||
416F30012CDT | 30MHz ±10ppm 수정 18pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F30012CDT.pdf | ||
3540-12-810 | Reed Relay SPST-NO (1 Form A) Through Hole | 3540-12-810.pdf | ||
PFC-W0402LF-03-2002-B | RES SMD 20K OHM 0.1% 1/20W 0402 | PFC-W0402LF-03-2002-B.pdf | ||
RT0402FRE0732R4L | RES SMD 32.4 OHM 1% 1/16W 0402 | RT0402FRE0732R4L.pdf | ||
RMCP2010FT619K | RES SMD 619K OHM 1% 1W 2010 | RMCP2010FT619K.pdf | ||
MCS04020D4420BE100 | RES SMD 442 OHM 0.1% 1/16W 0402 | MCS04020D4420BE100.pdf | ||
RW2S0DAR010JT | RES SMD 0.01 OHM 5% 2W J LEAD | RW2S0DAR010JT.pdf | ||
CRCW0201294KFNED | RES SMD 294K OHM 1% 1/20W 0201 | CRCW0201294KFNED.pdf | ||
RNX1001G00FNEE | RES 1.00G OHM 1% 200 PPM 2.5W | RNX1001G00FNEE.pdf |