Renesas Electronics America UPA2814T1S-E2-AT

UPA2814T1S-E2-AT
제조업체 부품 번호
UPA2814T1S-E2-AT
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET P-CH 30V 24A 8HWSON
Datesheet 다운로드
다운로드
UPA2814T1S-E2-AT 가격 및 조달

가능 수량

1150 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 571.51940
우리의 가격
Quote by Email

수량

 

We are the stock Distributor of UPA2814T1S-E2-AT, we specialize in all series Renesas Electronics America electronic components. UPA2814T1S-E2-AT can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for UPA2814T1S-E2-AT, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
UPA2814T1S-E2-AT 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
UPA2814T1S-E2-AT 매개 변수
내부 부품 번호EIS-UPA2814T1S-E2-AT
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서uPA2814T1S-E2-AT
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보RoHS Compliance
EDA/CAD 모델 Accelerated Designs에서 다운로드
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Renesas Electronics America
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET P-Chan, 금속 산화물
FET 특징논리 레벨 게이트, 4.5V 구동
드레인 - 소스 전압(Vdss)30V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C24A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs7.8m옴 @ 24A, 5V
Id 기준 Vgs(th)(최대)-
게이트 전하(Qg) @ Vgs74nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds2800pF @ 10V
전력 - 최대1.5W
작동 온도150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스8-전력WDFN
공급 장치 패키지8-HWSON(3.3x3.3)
표준 포장 5,000
무게0.001 KG
신청Email for details
대체 부품 (교체)UPA2814T1S-E2-AT
관련 링크UPA2814T, UPA2814T1S-E2-AT Datasheet, Renesas Electronics America Distributor
UPA2814T1S-E2-AT 의 관련 제품
2.7pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) CC0201BRNPO9BN2R7.pdf
2.2pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) VJ0805D2R2DLXAJ.pdf
43µF Film Capacitor 160V 250V Polypropylene (PP), Metallized Radial 2.264" L x 1.181" W (57.50mm x 30.00mm) MKP385643025JYI5T0.pdf
VARISTOR 220V 6KA DISC 20MM M83530/1-2200D.pdf
25MHz ±10ppm 수정 8pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) 416F25013AKT.pdf
38MHz ±15ppm 수정 10pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) 416F380X2CAT.pdf
100kHz ~ 124.999MHz CMOS, Dual (In-Phase) XO (Standard) Programmable Oscillator Surface Mount 1.8V 26mA Enable/Disable 511RBA-ABAG.pdf
1MHz ~ 220MHz LVPECL MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 3.3V 69mA SIT3821AC-1D-33NB.pdf
DIODE ZENER 6.2V 1.5W SC73 BZV90-C6V2,135.pdf
MOSFET N/P-CH 80V 4.3A/2.8A DPAK FDD3510H.pdf
2.2mH Unshielded Wirewound Inductor 141mA 20 Ohm Max Nonstandard 4922-41L.pdf
RES ARRAY 4 RES 56 OHM 1206 EXB-V8V560JV.pdf