Renesas Electronics America UPA2820T1S-E2-AT
- 제조업체 부품 번호
- UPA2820T1S-E2-AT
- 제조업 자
- Renesas Electronics America
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 30V 8HVSON
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
UPA2820T1S-E2-AT 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 539.80620
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of UPA2820T1S-E2-AT, we specialize in all series Renesas Electronics America electronic components. UPA2820T1S-E2-AT can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for UPA2820T1S-E2-AT, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- UPA2820T1S-E2-AT 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
UPA2820T1S-E2-AT 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-UPA2820T1S-E2-AT | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | UPA2820T1S | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Renesas Electronics America | |
| 계열 | - | |
| 포장 | * | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 4.5V 구동 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 22A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5.3m옴 @ 22A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 50nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2330pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 1.5W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력WDFN | |
| 공급 장치 패키지 | * | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | UPA2820T1S-E2-AT | |
| 관련 링크 | UPA2820T, UPA2820T1S-E2-AT Datasheet, Renesas Electronics America Distributor | |
UPA2820T1S-E2-AT 의 관련 제품
 | VJ1825Y154JBEAT4X | 0.15µF 500V 세라믹 커패시터 X7R 1825(4564 미터법) 0.183" L x 0.252" W(4.65mm x 6.40mm) | VJ1825Y154JBEAT4X.pdf | |
 | MKP385591063JYI2T0 | 9.1µF Film Capacitor 220V 630V Polypropylene (PP), Metallized Radial 2.264" L x 0.984" W (57.50mm x 25.00mm) | MKP385591063JYI2T0.pdf | |
 | BYM10-1000-E3/97 | DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB | BYM10-1000-E3/97.pdf | |
,-SC-63.jpg) | VS-30WQ04FNTRLPBF | DIODE SCHOTTKY 40V 3.5A DPAK | VS-30WQ04FNTRLPBF.pdf | |
 | 1SMA4758-GT3TR | DIODE ZENER 56V 1W SMA | 1SMA4758-GT3TR.pdf | |
 | DMN4025LSD-13 | MOSFET N-CH 40V 8-SOIC | DMN4025LSD-13.pdf | |
 | RLB9012-223KL | 22mH Unshielded Wirewound Inductor 110mA 59.3 Ohm Max Radial | RLB9012-223KL.pdf | |
| RT334730 | RT334730 | RT334730.pdf | |
 | UCR03EVPFSR062 | RES SMD 0.062 OHM 1% 1/4W 0603 | UCR03EVPFSR062.pdf | |
.jpg) | RT1210WRD07180RL | RES SMD 180 OHM 0.05% 1/4W 1210 | RT1210WRD07180RL.pdf | |
 | ROX1SJ100R | RES 100 OHM 1W 5% AXIAL | ROX1SJ100R.pdf | |
| WNA1R0FE | RES 1 OHM 1/2W 1% AXIAL | WNA1R0FE.pdf |
