Rohm Semiconductor US6M1TR

US6M1TR
제조업체 부품 번호
US6M1TR
제조업 자
제품 카테고리
FET - 어레이
간단한 설명
MOSFET N/P-CH 30V/20V TUMT6
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US6M1TR 매개 변수
내부 부품 번호EIS-US6M1TR
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서US6M1
제품 교육 모듈MOSFETs
주요제품MOSFET ECOMOS
카탈로그 페이지 1634 (KR2011-KO PDF)
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 어레이
제조업체Rohm Semiconductor
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형N 및 P-Chan
FET 특징논리 레벨 게이트
드레인 - 소스 전압(Vdss)30V, 20V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C1.4A, 1A
Rds On(최대) @ Id, Vgs240m옴 @ 1.4A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2.5V @ 1mA
게이트 전하(Qg) @ Vgs2nC(5V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds70pF @ 10V
전력 - 최대1W
작동 온도150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스6-SMD, 플랫 리드(Lead)
공급 장치 패키지TUMT6
표준 포장 3,000
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)US6M1TR
관련 링크US6, US6M1TR Datasheet, Rohm Semiconductor Distributor
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