Rohm Semiconductor US6M2TR
- 제조업체 부품 번호
- US6M2TR
- 제조업 자
- Rohm Semiconductor
- 제품 카테고리
- FET - 어레이
- 간단한 설명
- MOSFET N/P-CH 30V/20V TUMT6
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
US6M2TR 가격 및 조달
가능 수량
19150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 219.42835
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of US6M2TR, we specialize in all series Rohm Semiconductor electronic components. US6M2TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for US6M2TR, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- US6M2TR 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
US6M2TR 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-US6M2TR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | US6M2 | |
| 주요제품 | MOSFET ECOMOS | |
| 카탈로그 페이지 | 1634 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | N 및 P-Chan | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V, 20V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1.5A, 1A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 240m옴 @ 1.5A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.5V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 2.2nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 80pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 1W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 6-SMD, 플랫 리드(Lead) | |
| 공급 장치 패키지 | TUMT6 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | US6M2TR | |
| 관련 링크 | US6, US6M2TR Datasheet, Rohm Semiconductor Distributor | |
US6M2TR 의 관련 제품
 | VJ0805D132GXXAR | 1300pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D132GXXAR.pdf | |
 | ECS-65-20-4X | 6.5MHz ±30ppm 수정 20pF 100옴 -10°C ~ 70°C 스루홀 HC49/US | ECS-65-20-4X.pdf | |
 | SMZG3791BHE3/5B | DIODE ZENER 12V 1.5W DO215AA | SMZG3791BHE3/5B.pdf | |
| EAST1608AA1 | Orange 607nm LED Indication - Discrete 2.05V 0603 (1608 Metric) | EAST1608AA1.pdf | |
-TDK.jpg) | MLF2012C330M | 33µH Shielded Multilayer Inductor 5mA 1.1 Ohm Max 0805 (2012 Metric) | MLF2012C330M.pdf | |
 | SDR2207-3R9ML | 3.9µH Unshielded Wirewound Inductor 9A 12 mOhm Max Nonstandard | SDR2207-3R9ML.pdf | |
 | SFH615A-3X006 | Optoisolator Transistor Output 5300Vrms 1 Channel 4-DIP | SFH615A-3X006.pdf | |
 | RG2012N-1243-D-T5 | RES SMD 124K OHM 0.5% 1/8W 0805 | RG2012N-1243-D-T5.pdf | |
 | PAT0603E2872BST1 | RES SMD 28.7KOHM 0.1% 0.15W 0603 | PAT0603E2872BST1.pdf | |
.jpg) | TNPU12061K47BZEN00 | RES SMD 1.47K OHM 0.1% 1/4W 1206 | TNPU12061K47BZEN00.pdf | |
 | CMF55165K00FKR6 | RES 165K OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF55165K00FKR6.pdf | |
 | ERO-S2PHF43R0 | RES 43 OHM 1/4W 1% AXIAL | ERO-S2PHF43R0.pdf |
