창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-USR1H100MDD | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | USA, USR Series | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 알루미늄 커패시터 | |
제조업체 | Nichicon | |
계열 | USR | |
포장 | 벌크 | |
정전 용량 | 10µF | |
허용 오차 | ±20% | |
정격 전압 | 50V | |
등가 직렬 저항(ESR) | - | |
수명 @ 온도 | 2000시간(85°C) | |
작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
분극 | 극성 | |
응용 제품 | 범용 | |
리플 전류 | 38mA @ 120Hz | |
임피던스 | - | |
리드 간격 | 0.079"(2.00mm) | |
크기/치수 | 0.197" Dia(5.00mm) | |
높이 - 장착(최대) | 0.315"(8.00mm) | |
표면 실장 면적 크기 | - | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | 레이디얼, Can | |
표준 포장 | 200 | |
다른 이름 | 493-6032 USR1H100MDD-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | USR1H100MDD | |
관련 링크 | USR1H, USR1H100MDD Datasheet, Nichicon Distributor |
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![]() | C0402CH1C820K020BC | 82pF 16V 세라믹 커패시터 CH 01005(0402 미터법) 0.016" L x 0.008" W(0.40mm x 0.20mm) | C0402CH1C820K020BC.pdf | |
![]() | VJ0805D1R4BLBAJ | 1.4pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D1R4BLBAJ.pdf | |
![]() | 2035-30-SM-RP | GDT 300V 15% 5KA SURFACE MOUNT | 2035-30-SM-RP.pdf | |
![]() | RF2495-000 | TVS POLYZEN SMD 5.6V | RF2495-000.pdf | |
![]() | NX3225SA-27.000MHZ-STD-CSR-1 | 27MHz ±15ppm 수정 8pF 50옴 -10°C ~ 75°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | NX3225SA-27.000MHZ-STD-CSR-1.pdf | |
![]() | SBR0330CW-7 | DIODE ARRAY SBR 30V 150MA SOT323 | SBR0330CW-7.pdf | |
![]() | SS10PH9-M3/86A | DIODE SCHOTTKY 90V 10A TO277A | SS10PH9-M3/86A.pdf | |
![]() | APTMC120HRM40CT3G | MOSFET N-CH 1200V SP3F | APTMC120HRM40CT3G.pdf | |
![]() | NLFV32T-220K-EF | 22µH Shielded Wirewound Inductor 120mA 480 mOhm Max 1210 (3225 Metric) | NLFV32T-220K-EF.pdf | |
![]() | SDR7030-6R2M | 6.2µH Unshielded Wirewound Inductor 1.65A 58 mOhm Max Nonstandard | SDR7030-6R2M.pdf | |
![]() | MTSMC-EV3-MI-GP-N16-SP | RF TXRX MOD CELLULAR/NAV U.FL | MTSMC-EV3-MI-GP-N16-SP.pdf |