창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-USUR1000-302K | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | USUR1000 | |
종류 | 센서, 트랜스듀서 | |
제품군 | 온도 센서 - NTC 서미스터 | |
제조업체 | US Sensor | |
계열 | USUR | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | * | |
저항(옴 @ 25°C) | 3k | |
저항 허용 오차 | ±10% | |
B 값 허용 오차 | - | |
B0/50 | 3892K | |
B25/50 | - | |
B25/75 | - | |
B25/85 | - | |
B25/100 | - | |
작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TA) | |
전력 - 최대 | 20mW | |
길이 - 리드선 | 3.00"(76.20mm) | |
실장 유형 | 프리 행잉 | |
패키지/케이스 | 링 러그 | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | USUR1000-302K | |
관련 링크 | USUR10, USUR1000-302K Datasheet, US Sensor Distributor |
![]() | CBR02C200F5GAC | 20pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | CBR02C200F5GAC.pdf | |
![]() | VJ1812Y183JBBAT4X | 0.018µF 100V 세라믹 커패시터 X7R 1812(4532 미터법) 0.183" L x 0.126" W(4.65mm x 3.20mm) | VJ1812Y183JBBAT4X.pdf | |
![]() | 445W33J16M00000 | 16MHz ±30ppm 수정 9pF 40옴 0°C ~ 50°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445W33J16M00000.pdf | |
![]() | TB-32.350MBD-T | 32.35MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 3.3V 25mA Enable/Disable | TB-32.350MBD-T.pdf | |
![]() | SIT8209AI-83-25E-125.000000Y | OSC XO 2.5V 125MHZ OE | SIT8209AI-83-25E-125.000000Y.pdf | |
![]() | BZX84J-B6V2,115 | DIODE ZENER 6.2V 550MW SOD323F | BZX84J-B6V2,115.pdf | |
![]() | 1N5358CE3/TR13 | DIODE ZENER 22V 5W T18 | 1N5358CE3/TR13.pdf | |
![]() | SI4431CDY-T1-GE3 | MOSFET P-CH 30V 9A 8-SOIC | SI4431CDY-T1-GE3.pdf | |
![]() | SIHF22N60E-GE3 | MOSFET N-CH 600V 21A TO220 | SIHF22N60E-GE3.pdf | |
CS136 | Solid State Relay SPST-NO (1 Form A) 6-SMD (0.300", 7.62mm) | CS136.pdf | ||
![]() | CRCW08059M76FKTA | RES SMD 9.76M OHM 1% 1/8W 0805 | CRCW08059M76FKTA.pdf | |
![]() | 60AD18-4-H-120S | OPTICAL ENCODER | 60AD18-4-H-120S.pdf |