Nichicon UZE1V2R2MCL1GB
UZE1V2R2MCL1GB 가격 및 조달
가능 수량
3150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 250.48624
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of UZE1V2R2MCL1GB, we specialize in all series Nichicon electronic components. UZE1V2R2MCL1GB can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for UZE1V2R2MCL1GB, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- UZE1V2R2MCL1GB 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
UZE1V2R2MCL1GB 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-UZE1V2R2MCL1GB | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | ZE Series Chip Type Tape Spec Aluminum Electrolytic Land, Reflow | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 알루미늄 커패시터 | |
| 제조업체 | Nichicon | |
| 계열 | ZE | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 정전 용량 | 2.2µF | |
| 허용 오차 | ±20% | |
| 정격 전압 | 35V | |
| 등가 직렬 저항(ESR) | - | |
| 수명 @ 온도 | 1000시간(85°C) | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
| 분극 | 양극 | |
| 응용 제품 | - | |
| 리플 전류 | 8.4mA | |
| 임피던스 | - | |
| 리드 간격 | - | |
| 크기/치수 | 0.157" Dia(4.00mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | 0.156"(3.95mm) | |
| 표면 실장 면적 크기 | 0.169" L x 0.169" W(4.30mm x 4.30mm) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 레이디얼, Can - SMD | |
| 표준 포장 | 2,000 | |
| 다른 이름 | 493-10031-2 UZE1V2R2MCL1GB-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | UZE1V2R2MCL1GB | |
| 관련 링크 | UZE1V2R, UZE1V2R2MCL1GB Datasheet, Nichicon Distributor | |
UZE1V2R2MCL1GB 의 관련 제품
 | RNS1C181MDN1PX | 180µF 16V Aluminum - Polymer Capacitors Radial, Can 16 mOhm 2000 Hrs @ 105°C | RNS1C181MDN1PX.pdf | |
.jpg) | C0805C104Z5VACTU | 0.10µF 50V 세라믹 커패시터 Y5V(F) 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | C0805C104Z5VACTU.pdf | |
 | C907U500JZSDCAWL45 | 50pF 440VAC 세라믹 커패시터 SL 방사형, 디스크 0.276" Dia(7.00mm) | C907U500JZSDCAWL45.pdf | |
| TCF100 | FUSE 100A 600VAC/300VDC BLADE | TCF100.pdf | |
 | SMAJ110A-E3/61 | TVS DIODE 110VWM 177VC SMA | SMAJ110A-E3/61.pdf | |
| TS192F33CET | 19.2MHz ±30ppm 수정 20pF 40옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | TS192F33CET.pdf | |
 | ECS-221-12-33Q-JES-TR | 22.1184MHz ±20ppm 수정 12pF 60옴 -40°C ~ 125°C AEC-Q200 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | ECS-221-12-33Q-JES-TR.pdf | |
.jpg) | ILSB0603ERR15K | 150nH Shielded Multilayer Inductor 50mA 600 mOhm Max 0603 (1608 Metric) | ILSB0603ERR15K.pdf | |
 | GNR45DCZ | Solid State Relay SPST-NO (1 Form A) Module | GNR45DCZ.pdf | |
 | 23J700E | RES 700 OHM 3W 5% AXIAL | 23J700E.pdf | |
| AT-2310(40) | RF Attenuator 10dB ±0.7dB 0 ~ 2.5GHz 50 Ohm 1W SMA In-Line Module | AT-2310(40).pdf | |
 | TH72015KLD-BAA-000-SP | RF Transmitter ISM 380MHz ~ 450MHz 10dBm 40kbps 10-VFDFN Exposed Pad | TH72015KLD-BAA-000-SP.pdf |
