창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-V20120C-E3/4W | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | V(F,B,I)20120C Packaging Information | |
제품 교육 모듈 | Trench MOS Barrier Schottky Rectifiers | |
비디오 파일 | Functions & Parameters of the “Simplest” Semiconductor | |
PCN 조립/원산지 | New subcontractor 06/Apr/2016 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division | |
계열 | TMBS® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 구성 | 공통 음극 1쌍 | |
다이오드 유형 | 쇼트키 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 120V | |
전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 10A | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10A | |
속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
역회복 시간(trr) | - | |
전류 - 역누설 @ Vr | 700µA @ 120V | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | V20120C-E3/4W-ND V20120C-E3/4WGI | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | V20120C-E3/4W | |
관련 링크 | V20120, V20120C-E3/4W Datasheet, Vishay BC Components Distributor |
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![]() | RCP0505W120RGET | RES SMD 120 OHM 2% 5W 0505 | RCP0505W120RGET.pdf | |
![]() | PX2EN2XX010BSCHX | Pressure Sensor 145.04 PSI (1000 kPa) Sealed Gauge Male - 1/8" (3.18mm) NPT 4 mA ~ 20 mA Cylinder | PX2EN2XX010BSCHX.pdf |