창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-V660LA80CPX10 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | C-III Varistor Series | |
종류 | 회로 보호 | |
제품군 | TVS - 배리스터, MOV | |
제조업체 | Littelfuse Inc. | |
계열 | C-III | |
포장 | 벌크 | |
배리스터 전압 | 972V | |
배리스터 전압(통상) | 1080V(1.08kV) | |
배리스터 전압(최대) | 1188V(1.188kV) | |
전류 - 서지 | 10kA | |
회로 개수 | 1 | |
최대 AC 전압 | 660VAC | |
최대 DC 전압 | - | |
에너지 | 510J | |
패키지/케이스 | 20mm 디스크 | |
실장 유형 | 스루홀 | |
표준 포장 | 200 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | V660LA80CPX10 | |
관련 링크 | V660LA, V660LA80CPX10 Datasheet, Littelfuse Inc. Distributor |
VJ0402D0R2CLBAC | 0.20pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D0R2CLBAC.pdf | ||
402F20433CAR | 20.48MHz ±30ppm 수정 10pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 402F20433CAR.pdf | ||
TB-18.432MBE-T | 18.432MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 3.3V 25mA Enable/Disable | TB-18.432MBE-T.pdf | ||
R5013ANXFU6 | MOSFET N-CH 500V 13A TO-220FM | R5013ANXFU6.pdf | ||
IRG4PC50UD-EPBF | IGBT 600V 55A 200W TO247-3 | IRG4PC50UD-EPBF.pdf | ||
ERJ-1GNF1150C | RES SMD 115 OHM 1% 1/20W 0201 | ERJ-1GNF1150C.pdf | ||
RT0805DRD0782K5L | RES SMD 82.5K OHM 0.5% 1/8W 0805 | RT0805DRD0782K5L.pdf | ||
TNPW120619K1BEEA | RES SMD 19.1K OHM 0.1% 1/4W 1206 | TNPW120619K1BEEA.pdf | ||
TNPW0805549RBEEN | RES SMD 549 OHM 0.1% 1/8W 0805 | TNPW0805549RBEEN.pdf | ||
MFR-25FBF52-13R3 | RES 13.3 OHM 1/4W 1% AXIAL | MFR-25FBF52-13R3.pdf | ||
CMF70270K00BEBF | RES 270K OHM 1.75W 0.1% AXIAL | CMF70270K00BEBF.pdf | ||
Y07891K28000T0L | RES 1.28K OHM 0.3W 0.01% RADIAL | Y07891K28000T0L.pdf |