창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-VBT10200C-E3/8W | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | V(B/F/I)T10200C | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division | |
계열 | TMBS® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 구성 | 공통 음극 1쌍 | |
다이오드 유형 | 쇼트키 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 200V | |
전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 5A | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.6V @ 5A | |
속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
역회복 시간(trr) | - | |
전류 - 역누설 @ Vr | 150µA @ 200V | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | TO-263AB | |
표준 포장 | 800 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | VBT10200C-E3/8W | |
관련 링크 | VBT1020, VBT10200C-E3/8W Datasheet, Vishay BC Components Distributor |
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HMC636ST89 | RF Amplifier IC General Purpose 200MHz ~ 4GHz SOT-89 | HMC636ST89.pdf | ||
20 INCH-D-4V-PRIME | Pressure Sensor ±0.72 PSI (±4.96 kPa) Differential Male - 0.19" (4.83mm) Tube, Dual 0.25 V ~ 4.25 V 4-SIP Module | 20 INCH-D-4V-PRIME.pdf |