창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-VBT1045CBP-M3/4W | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | VBT1045CBP-M3 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division | |
계열 | TMBS® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 구성 | 공통 음극 1쌍 | |
다이오드 유형 | 쇼트키 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 45V | |
전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 5A | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 580mV @ 5A | |
속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
역회복 시간(trr) | - | |
전류 - 역누설 @ Vr | 500µA @ 45V | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | TO-263AB | |
표준 포장 | 50 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | VBT1045CBP-M3/4W | |
관련 링크 | VBT1045C, VBT1045CBP-M3/4W Datasheet, Vishay BC Components Distributor |
![]() | UPB2W330MHD1TN | 33µF 450V Aluminum Capacitors Radial, Can 5000 Hrs @ 105°C | UPB2W330MHD1TN.pdf | |
![]() | EKMQ630ETD101MHB5D | 100µF 63V Aluminum Capacitors Radial, Can 1000 Hrs @ 105°C | EKMQ630ETD101MHB5D.pdf | |
![]() | 1808CA222JAT9A | 2200pF 630V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1808(4520 미터법) 0.180" L x 0.080" W(4.57mm x 2.03mm) | 1808CA222JAT9A.pdf | |
![]() | MKP385247100JC02W0 | 4700pF Film Capacitor 350V 1000V (1kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.394" L x 0.236" W (10.00mm x 6.00mm) | MKP385247100JC02W0.pdf | |
![]() | F1772SX244731KI0W0 | 0.47µF Film Capacitor 310V 630V Polyester, Metallized Radial 1.024" L x 0.394" W (26.00mm x 10.00mm) | F1772SX244731KI0W0.pdf | |
![]() | SIT9001AIL13-33S2-6.78000T | OSC XO 3.3V 6.78MHZ ST 0.50% | SIT9001AIL13-33S2-6.78000T.pdf | |
![]() | XZFBB81FS | Blue 470nm LED Indication - Discrete 3.3V 2-SMD, J-Lead | XZFBB81FS.pdf | |
![]() | DRQ73-1R5-R | Shielded 2 Coil Inductor Array 5.928µH Inductance - Connected in Series 1.482µH Inductance - Connected in Parallel 13.2 mOhm DC Resistance (DCR) - Parallel 4.64A Nonstandard | DRQ73-1R5-R.pdf | |
![]() | 4N28S1(TB)-V | Optoisolator Transistor with Base Output 5000Vrms 1 Channel 6-SMD | 4N28S1(TB)-V.pdf | |
![]() | ERJ-S14F3573U | RES SMD 357K OHM 1% 1/2W 1210 | ERJ-S14F3573U.pdf | |
![]() | RCWE1206R820JKEA | RES SMD 0.82 OHM 5% 1/2W 1206 | RCWE1206R820JKEA.pdf | |
![]() | CMF5516K200BER6 | RES 16.2K OHM 1/2W 0.1% AXIAL | CMF5516K200BER6.pdf |