창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-VEMT4700-GS08 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 3(168시간) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | VEMT4700 | |
종류 | 센서, 트랜스듀서 | |
제품군 | 광 센서 - 광 트랜지스터 | |
제조업체 | Vishay Semiconductor Opto Division | |
계열 | 자동차, AEC-Q100 | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | * | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 70V | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA | |
전류 - 암전류(Id)(최대) | 200nA | |
파장 | 850nm | |
시야각 | 120° | |
전력 - 최대 | 100mW | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
방향 | 상면도 | |
작동 온도 | -40°C ~ 100°C(TA) | |
패키지/케이스 | 4-SMD, J-리드(Lead) | |
표준 포장 | 1,500 | |
다른 이름 | VEMT4700-GS08-ND VEMT4700-GS08TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | VEMT4700-GS08 | |
관련 링크 | VEMT47, VEMT4700-GS08 Datasheet, Vishay Semiconductor Opto Division Distributor |
![]() | EEU-FC0J123L | 12000µF 6.3V Aluminum Capacitors Radial, Can 5000 Hrs @ 105°C | EEU-FC0J123L.pdf | |
![]() | VJ0603D180MXAAJ | 18pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D180MXAAJ.pdf | |
![]() | VJ1210Y471KBRAT4X | 470pF 1500V(1.5kV) 세라믹 커패시터 X7R 1210(3225 미터법) 0.132" L x 0.098" W(3.35mm x 2.50mm) | VJ1210Y471KBRAT4X.pdf | |
![]() | BFC236857563 | 0.056µF Film Capacitor 220V 400V Polyester, Metallized Radial 0.689" L x 0.197" W (17.50mm x 5.00mm) | BFC236857563.pdf | |
![]() | MC12FD101F-TF | 100pF Mica Capacitor 500V 1210 (3225 Metric) 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm) | MC12FD101F-TF.pdf | |
![]() | 3AP 2-R | FUSE GLASS 2A 250VAC 3AB 3AG | 3AP 2-R.pdf | |
![]() | D2TO035C10R00FTE3 | RES SMD 10 OHM 1% 35W TO263 | D2TO035C10R00FTE3.pdf | |
![]() | ESR18EZPF33R2 | RES SMD 33.2 OHM 1% 1/3W 1206 | ESR18EZPF33R2.pdf | |
![]() | MCS04020D1002BE000 | RES SMD 10K OHM 0.1% 1/16W 0402 | MCS04020D1002BE000.pdf | |
![]() | CPCC05R9100KE66 | RES 0.91 OHM 5W 10% RADIAL | CPCC05R9100KE66.pdf | |
![]() | ADL5387ACPZ-WP | RF Demodulator IC 30MHz ~ 2GHz 24-VFQFN Exposed Pad, CSP | ADL5387ACPZ-WP.pdf | |
![]() | NOIP1FN5000A-QDI | CMOS with Processor Image Sensor 2592H x 2048V 4.8µm x 4.8µm 84-LCC (19x19) | NOIP1FN5000A-QDI.pdf |