창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-VLZ3V0-GS18 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | VLZ Series | |
PCN 단종/ EOL | EOL 21/Mar/2016 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division | |
계열 | 자동차, AEC-Q101 | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 생산 종료 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 3V | |
허용 오차 | - | |
전력 - 최대 | 500mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 70옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | - | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOD-80 변형 | |
공급 장치 패키지 | SOD-80 QuadroMELF | |
표준 포장 | 10,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | VLZ3V0-GS18 | |
관련 링크 | VLZ3V, VLZ3V0-GS18 Datasheet, Vishay BC Components Distributor |
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E-TA2012 T 10DB N4 | RF Attenuator 10dB ±0.5dB 0 ~ 3GHz 50 Ohm 63mW 0805 (2012 Metric) | E-TA2012 T 10DB N4.pdf | ||
F3SJ-A0700P25-TS | F3SJ-A0700P25-TS | F3SJ-A0700P25-TS.pdf |