창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-VN10KN3-G-P014 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | VN10K | |
PCN 조립/원산지 | Additional Fabrication Site 03/Sep/2014 Fab Site Addition 14/Aug/2014 Assembly Site Add 8/Jun/2016 Supertex 03/Aug/2016 | |
PCN 포장 | Label and Packing Changes 23/Sep/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Microchip Technology | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 310mA(Tj) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5옴 @ 500mA, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 60pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 1W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA)(성형 리드(Lead)) | |
공급 장치 패키지 | TO-92-3 | |
표준 포장 | 2,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | VN10KN3-G-P014 | |
관련 링크 | VN10KN3, VN10KN3-G-P014 Datasheet, Microchip Technology Distributor |
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![]() | IPB60R280P6ATMA1 | MOSFET N-CH TO263-3 | IPB60R280P6ATMA1.pdf | |
![]() | LTL-709Y | Yellow 588nm LED Indication - Discrete 2.1V Radial | LTL-709Y.pdf | |
![]() | AIUR-09-221K | 220µH Unshielded Wirewound Inductor 810mA 700 mOhm Max Radial | AIUR-09-221K.pdf | |
![]() | RL3264R-R470-F | RES SMD 0.47 OHM 1% 1W 2512 | RL3264R-R470-F.pdf | |
![]() | RG2012P-3160-D-T5 | RES SMD 316 OHM 0.5% 1/8W 0805 | RG2012P-3160-D-T5.pdf | |
![]() | RP73D2B374KBTG | RES SMD 374K OHM 0.1% 1/4W 1206 | RP73D2B374KBTG.pdf | |
![]() | MFR-25FRF52-232K | RES 232K OHM 1/4W 1% AXIAL | MFR-25FRF52-232K.pdf | |
![]() | H811KFYA | RES 11.0K OHM 1/4W 1% AXIAL | H811KFYA.pdf | |
![]() | B5J10K | RES 10K OHM 5.25W 5% AXIAL | B5J10K.pdf |