창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-VN3205N3-G-P002 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | VN3205 | |
PCN 조립/원산지 | Additional Fabrication Site 03/Sep/2014 Fab Site Addition 14/Aug/2014 Assembly Site Add 8/Jun/2016 Supertex 03/Aug/2016 | |
PCN 포장 | Label and Packing Changes 23/Sep/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Microchip Technology | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 50V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1.2A(Tj) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 300m옴 @ 3A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.4V @ 10mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 300pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 1W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA)(성형 리드(Lead)) | |
공급 장치 패키지 | TO-92-3 | |
표준 포장 | 2,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | VN3205N3-G-P002 | |
관련 링크 | VN3205N, VN3205N3-G-P002 Datasheet, Microchip Technology Distributor |
APXE6R3ARA821MJ80G | 820µF 6.3V Aluminum - Polymer Capacitors Radial, Can - SMD 14 mOhm 2000 Hrs @ 105°C | APXE6R3ARA821MJ80G.pdf | ||
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![]() | TNPW20101K13BETF | RES SMD 1.13K OHM 0.1% 0.4W 2010 | TNPW20101K13BETF.pdf | |
![]() | MBA02040C5623FC100 | RES 562K OHM 0.4W 1% AXIAL | MBA02040C5623FC100.pdf | |
![]() | CMF5090K900FHEK | RES 90.9K OHM 1/4W 1% AXIAL | CMF5090K900FHEK.pdf | |
![]() | T614TR-2.4/4.9/5.X-S | 2.4GHz, 5.1GHz, 5.8GHz Whip, Tilt RF Antenna 2.4GHz ~ 2.5GHz, 4.9GHz ~ 5.35GHz, 5.725GHz ~ 5.85GHz 4dBi, 5dBi Connector, RP-TNC Connector Mount | T614TR-2.4/4.9/5.X-S.pdf | |
![]() | NSCSNBN030PAUNV | Pressure Sensor 30 PSI (206.84 kPa) Absolute Male - 0.19" (4.8mm) Tube, Dual 0 mV ~ 74 mV (5V) 4-SIP, Dual Ports, Same Side | NSCSNBN030PAUNV.pdf |