창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-VSSAF5L45-M3/6B | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | VSSAF5L45 | |
PCN 조립/원산지 | Wafer Material Update 30/Jun/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division | |
계열 | 자동차, AEC-Q101, TMBS®, SlimSMA™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 유형 | 쇼트키 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 45V | |
전류 -평균 정류(Io) | 3A | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 560mV @ 5A | |
속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
역회복 시간(trr) | - | |
전류 - 역누설 @ Vr | 650µA @ 45V | |
정전 용량 @ Vr, F | 740pF @ 4V, 1MHz | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | DO-221AC, SMA 플랫 리드(Lead) | |
공급 장치 패키지 | DO-221AC | |
작동 온도 - 접합 | -40°C ~ 150°C | |
표준 포장 | 14,000 | |
다른 이름 | VSSAF5L45M36B | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | VSSAF5L45-M3/6B | |
관련 링크 | VSSAF5L, VSSAF5L45-M3/6B Datasheet, Vishay BC Components Distributor |
VJ0402D3R0BLCAC | 3pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D3R0BLCAC.pdf | ||
VJ0402D180FXXAC | 18pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D180FXXAC.pdf | ||
GRM0336S1E9R7CD01D | 9.7pF 25V 세라믹 커패시터 S2H 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | GRM0336S1E9R7CD01D.pdf | ||
MKP383410100JIM2T0 | 0.1µF Film Capacitor 350V 1000V (1kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.024" L x 0.394" W (26.00mm x 10.00mm) | MKP383410100JIM2T0.pdf | ||
MRF8P20165WHR5 | FET RF 2CH 65V 2.01GHZ NI780-4 | MRF8P20165WHR5.pdf | ||
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IMC1008ERR56J | 560nH Unshielded Wirewound Inductor 310mA 1.5 Ohm Max 1008 (2520 Metric) | IMC1008ERR56J.pdf | ||
SP1210-103G | 10µH Shielded Wirewound Inductor 464mA 960 mOhm Max Nonstandard | SP1210-103G.pdf | ||
RT0805BRE0727K4L | RES SMD 27.4K OHM 0.1% 1/8W 0805 | RT0805BRE0727K4L.pdf | ||
CPCC021R000JB32 | RES 1 OHM 2W 5% RADIAL | CPCC021R000JB32.pdf | ||
NSL-6112 | PHOTOCELL | NSL-6112.pdf |