창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-ZVN2110GTA | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | ZVN2110G | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
PCN 설계/사양 | Date Code Mark Update 13/Jan/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1469 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 500mA(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4옴 @ 1A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.4V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 75pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 2W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-261-4, TO-261AA | |
공급 장치 패키지 | SOT-223 | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | ZVN2110GTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | ZVN2110GTA | |
관련 링크 | ZVN21, ZVN2110GTA Datasheet, Diodes Incorporated Distributor |
![]() | UPX1V331MHD1TN | 330µF 35V Aluminum Capacitors Radial, Can 20000 Hrs @ 105°C | UPX1V331MHD1TN.pdf | |
![]() | UTS1H2R2MDD1TE | 2.2µF 50V Aluminum Capacitors Radial, Can 5000 Hrs @ 105°C | UTS1H2R2MDD1TE.pdf | |
![]() | B41896C4338M | 3300µF 16V Aluminum Capacitors Radial, Can 80 mOhm @ 120Hz 7000 Hrs @ 125°C | B41896C4338M.pdf | |
![]() | C921U332MZVDCA7317 | 3300pF 440VAC 세라믹 커패시터 Y5V(F) 방사형, 디스크 0.354" Dia(9.00mm) | C921U332MZVDCA7317.pdf | |
![]() | MKP385351025JBA2B0 | 0.051µF Film Capacitor 160V 250V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.283" L x 0.177" W (7.20mm x 4.50mm) | MKP385351025JBA2B0.pdf | |
![]() | T95Y106M020LSAL | 10µF Conformal Coated Tantalum Capacitors 20V 2910 (7227 Metric) 1 Ohm 0.285" L x 0.104" W (7.24mm x 2.65mm) | T95Y106M020LSAL.pdf | |
![]() | SMCJ11CA | TVS DIODE 11VWM 18.2VC SMC | SMCJ11CA.pdf | |
![]() | ABLS7M-20.500MHZ-B-2-T | 20.5MHz ±20ppm 수정 18pF 40옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD, 평면 리드(Lead) | ABLS7M-20.500MHZ-B-2-T.pdf | |
![]() | IPB80N06S2L11ATMA2 | MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3 | IPB80N06S2L11ATMA2.pdf | |
![]() | SWT-1.02-168 | 168µH Unshielded Toroidal Inductor 1.02A 400 mOhm Radial | SWT-1.02-168.pdf | |
![]() | S0402-10NG1C | 10nH Unshielded Wirewound Inductor 475mA 210 mOhm Max 0402 (1005 Metric) | S0402-10NG1C.pdf | |
![]() | ERA-2AEB2551X | RES SMD 2.55KOHM 0.1% 1/16W 0402 | ERA-2AEB2551X.pdf |