창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-ZVN4206AV | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | ZVN4206A | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
카탈로그 페이지 | 1470 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 600mA(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1옴 @ 1.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 100pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 700mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-226-3, TO-92-3 표준 본체(TO-226AA) | |
공급 장치 패키지 | TO-92-3 | |
표준 포장 | 4,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | ZVN4206AV | |
관련 링크 | ZVN4, ZVN4206AV Datasheet, Diodes Incorporated Distributor |
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![]() | AK6-430C-12 | TVS DIODE 430VWM 625VC AXIAL | AK6-430C-12.pdf | |
![]() | 416F32013ALT | 32MHz ±10ppm 수정 12pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F32013ALT.pdf | |
![]() | SIT9003AC-13-33SO-66.600000Y | OSC XO 3.3V 66.6MHZ ST -0.50% | SIT9003AC-13-33SO-66.600000Y.pdf | |
![]() | C3391-106.250 | 106.25MHz HCMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 45mA Enable/Disable | C3391-106.250.pdf | |
1N3957 | DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL | 1N3957.pdf | ||
![]() | HK21251N5S-T | 1.5nH Unshielded Multilayer Inductor 300mA 100 mOhm Max 0805 (2012 Metric) | HK21251N5S-T.pdf | |
![]() | ERJ-PA3F2203V | RES SMD 220K OHM 1% 1/4W 0603 | ERJ-PA3F2203V.pdf | |
![]() | RT0805BRB075K6L | RES SMD 5.6K OHM 0.1% 1/8W 0805 | RT0805BRB075K6L.pdf | |
![]() | HRG3216P-1020-B-T1 | RES SMD 102 OHM 0.1% 1W 1206 | HRG3216P-1020-B-T1.pdf | |
![]() | Y144260K0000T0L | RES 60K OHM 1/2W 0.01% RADIAL | Y144260K0000T0L.pdf |