창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-ZVN4310GTA | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | ZVN4310G | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
PCN 설계/사양 | Date Code Mark Update 13/Jan/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1469 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1.67A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 540m옴 @ 3.3A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 350pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 3W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-261-4, TO-261AA | |
공급 장치 패키지 | SOT-223 | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | ZVN4310GTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | ZVN4310GTA | |
관련 링크 | ZVN43, ZVN4310GTA Datasheet, Diodes Incorporated Distributor |
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![]() | 416F380X3AKR | 38MHz ±15ppm 수정 8pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F380X3AKR.pdf | |
![]() | 510DBB-ABAG | 100kHz ~ 124.999MHz HCSL XO (Standard) Programmable Oscillator Surface Mount 3.3V 44mA Enable/Disable | 510DBB-ABAG.pdf | |
![]() | FDMS7580 | MOSFET N-CH 25V 15A POWER56 | FDMS7580.pdf | |
![]() | AT1206DRD07115KL | RES SMD 115K OHM 0.5% 1/4W 1206 | AT1206DRD07115KL.pdf | |
![]() | AT1206CRD0734KL | RES SMD 34K OHM 0.25% 1/4W 1206 | AT1206CRD0734KL.pdf | |
![]() | RG2012V-2800-W-T5 | RES SMD 280 OHM 0.05% 1/8W 0805 | RG2012V-2800-W-T5.pdf | |
![]() | MRS25000C7150FCT00 | RES 715 OHM 0.6W 1% AXIAL | MRS25000C7150FCT00.pdf | |
![]() | E2S-W21B 1M | Inductive Proximity Sensor 0.098" (2.5mm) IP67 Module | E2S-W21B 1M.pdf |