창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-ZXM66P02N8TA | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | ZXM66P02N8T(A, C) Datasheet | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
카탈로그 페이지 | 1467 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6.4A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 25m옴 @ 3.2A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 700mV @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 43.3nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2068pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 1.56W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SO | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | ZXM66P02N8TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | ZXM66P02N8TA | |
관련 링크 | ZXM66P, ZXM66P02N8TA Datasheet, Diodes Incorporated Distributor |
GCM1555C1H8R9DA16D | 8.9pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | GCM1555C1H8R9DA16D.pdf | ||
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CP00053R900JE66 | RES 3.9 OHM 5W 5% AXIAL | CP00053R900JE66.pdf | ||
CMF65274K00FKEB | RES 274K OHM 1.5W 1% AXIAL | CMF65274K00FKEB.pdf | ||
MHP-25PTA52-5K6 | RES 5.6K OHM 1/4W .02% AXIAL | MHP-25PTA52-5K6.pdf |