Diodes Incorporated ZXMHC6A07N8TC

ZXMHC6A07N8TC
제조업체 부품 번호
ZXMHC6A07N8TC
제조업 자
제품 카테고리
FET - 어레이
간단한 설명
MOSFET 2N/2P-CH 60V 8-SOIC
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내부 부품 번호EIS-ZXMHC6A07N8TC
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서ZXMHC6A07N8
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보RoHS Cert of Compliance
카탈로그 페이지 1469 (KR2011-KO PDF)
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 어레이
제조업체Diodes Incorporated
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형2 N-Chan 및 2 P -Chan(H 브리지)
FET 특징논리 레벨 게이트
드레인 - 소스 전압(Vdss)60V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C1.39A, 1.28A
Rds On(최대) @ Id, Vgs250m옴 @ 1.8A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)3V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs3.2nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds166pF @ 40V
전력 - 최대870mW
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭)
공급 장치 패키지8-SOP
표준 포장 2,500
다른 이름ZXMHC6A07N8DITR
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)ZXMHC6A07N8TC
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