Diodes Incorporated ZXMN10A08GTA
- 제조업체 부품 번호
- ZXMN10A08GTA
- 제조업 자
- Diodes Incorporated
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 100V 2A SOT223
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
ZXMN10A08GTA 가격 및 조달
가능 수량
121150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 237.21984
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of ZXMN10A08GTA, we specialize in all series Diodes Incorporated electronic components. ZXMN10A08GTA can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ZXMN10A08GTA, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- ZXMN10A08GTA 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
ZXMN10A08GTA 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-ZXMN10A08GTA | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | ZXMN10A08G | |
| 카탈로그 페이지 | 1469 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 단종 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 250m옴 @ 3.2A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 7.7nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 405pF @ 50V | |
| 전력 - 최대 | 2W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-261-4, TO-261AA | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-223 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | ZXMN10A08G ZXMN10A08GTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | ZXMN10A08GTA | |
| 관련 링크 | ZXMN10, ZXMN10A08GTA Datasheet, Diodes Incorporated Distributor | |
ZXMN10A08GTA 의 관련 제품
 | LGG2E561MELA35 | 560µF 250V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 2000 Hrs @ 105°C | LGG2E561MELA35.pdf | |
-10.jpg) | CL10C270JB8NCNC | 27pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | CL10C270JB8NCNC.pdf | |
 | MKP385391160JIM2T0 | 0.091µF Film Capacitor 550V 1600V (1.6kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.024" L x 0.472" W (26.00mm x 12.00mm) | MKP385391160JIM2T0.pdf | |
 | 416F37433ADR | 37.4MHz ±30ppm 수정 18pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F37433ADR.pdf | |
 | ABC2-22.1184MHZ-4-T | 22.1184MHz ±30ppm 수정 18pF 30옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | ABC2-22.1184MHZ-4-T.pdf | |
 | US2G-TP | DIODE GEN PURP 400V 2A DO214AA | US2G-TP.pdf | |
 | FDMS86310 | MOSFET N-CH 80V 17A 8-PQFN | FDMS86310.pdf | |
 | ERJ-1TRSJR18U | RES SMD 0.18 OHM 5% 1W 2512 | ERJ-1TRSJR18U.pdf | |
.jpg) | RC0603FR-073R57L | RES SMD 3.57 OHM 1% 1/10W 0603 | RC0603FR-073R57L.pdf | |
 | RCP0603W82R0JS6 | RES SMD 82 OHM 5% 3.9W 0603 | RCP0603W82R0JS6.pdf | |
 | RNX0251M00FKEE | RES 1.00M OHM 1% 100 PPM 0.5W | RNX0251M00FKEE.pdf | |
 | RNF14BAC2K26 | RES 2.26K OHM 1/4W .1% AXIAL | RNF14BAC2K26.pdf |
