Diodes Incorporated ZXMN2A01E6TA
- 제조업체 부품 번호
- ZXMN2A01E6TA
- 제조업 자
- Diodes Incorporated
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 20V 2.44 A SOT-23-6
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
ZXMN2A01E6TA 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 214.98048
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of ZXMN2A01E6TA, we specialize in all series Diodes Incorporated electronic components. ZXMN2A01E6TA can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ZXMN2A01E6TA, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- ZXMN2A01E6TA 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
ZXMN2A01E6TA 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-ZXMN2A01E6TA | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | ZXMN2A01E6 | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| PCN 설계/사양 | Leadframe Material Update 09/Apr/2014 Date Code Mark Update 13/Jan/2015 | |
| PCN 기타 | Copper Bond Wire and Wafer Source 07/Nov/2013 | |
| 카탈로그 페이지 | 1467 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2.5A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 120m옴 @ 4A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 700mV @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 3nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 303pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 1.1W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SOT-23-6 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-23-6 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | ZXMN2A01E6TR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | ZXMN2A01E6TA | |
| 관련 링크 | ZXMN2A, ZXMN2A01E6TA Datasheet, Diodes Incorporated Distributor | |
ZXMN2A01E6TA 의 관련 제품
 | UPW0J681MPD1TD | 680µF 6.3V Aluminum Capacitors Radial, Can 5000 Hrs @ 105°C | UPW0J681MPD1TD.pdf | |
 | C0402C339C5GACTU | 3.3pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | C0402C339C5GACTU.pdf | |
 | 199D336X0025E6B1E3 | 33µF Conformal Coated Tantalum Capacitors 25V Radial 0.339" Dia (8.60mm) | 199D336X0025E6B1E3.pdf | |
15004.jpg) | PMT3(310)15004 | GDT 150V 20KA THROUGH HOLE | PMT3(310)15004.pdf | |
 | DSC400-4444Q0059KE2 | HCSL MEMS (Silicon) Pin Configurable Oscillator 20-VFQFN Exposed Pad 2.25 V ~ 3.6 V Enable/Disable | DSC400-4444Q0059KE2.pdf | |
 | SIT1602ACT7-28S | 3.75MHz ~ 77.76MHz HCMOS, LVCMOS MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 2.8V 4.5mA Standby | SIT1602ACT7-28S.pdf | |
 | BZX55B30-TR | DIODE ZENER 30V 500MW DO35 | BZX55B30-TR.pdf | |
| 103R-102FS | 1µH Unshielded Inductor 425mA 540 mOhm Max 2-SMD | 103R-102FS.pdf | |
 | ERJ-T06J303V | RES SMD 30K OHM 5% 1/4W 0805 | ERJ-T06J303V.pdf | |
| SMM02070C6190FBP00 | RES SMD 619 OHM 1% 1W MELF | SMM02070C6190FBP00.pdf | |
 | HRG3216P-9761-B-T5 | RES SMD 9.76K OHM 0.1% 1W 1206 | HRG3216P-9761-B-T5.pdf | |
-convex.jpg) | CAY16-223J4GLF | RES ARRAY 4 RES 22K OHM 1206 | CAY16-223J4GLF.pdf |
