창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-ZXMN2A04DN8TA | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | ZXMN2A04DN8 | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
카탈로그 페이지 | 1467 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5.9A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 25m옴 @ 5.9A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 700mV @ 250µA(최소) | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 22.1nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1880pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 1.8W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SOP | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | ZXMN2A04DN8TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | ZXMN2A04DN8TA | |
관련 링크 | ZXMN2A, ZXMN2A04DN8TA Datasheet, Diodes Incorporated Distributor |
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![]() | ACM-0603-220-T | 2 Line Common Mode Choke Surface Mount 22 Ohm @ 100MHz 500mA DCR 80 mOhm | ACM-0603-220-T.pdf | |
![]() | ELL-6RH100M | 10µH Shielded Wirewound Inductor 1.1A 95 mOhm Nonstandard | ELL-6RH100M.pdf | |
![]() | IMC1812RQ221K | 220µH Unshielded Wirewound Inductor 100mA 10 Ohm Max 1812 (4532 Metric) | IMC1812RQ221K.pdf | |
![]() | ESR10EZPJ1R5 | RES SMD 1.5 OHM 5% 0.4W 0805 | ESR10EZPJ1R5.pdf | |
![]() | RT0603FRE07324RL | RES SMD 324 OHM 1% 1/10W 0603 | RT0603FRE07324RL.pdf | |
![]() | RMCF2512FT57R6 | RES SMD 57.6 OHM 1% 1W 2512 | RMCF2512FT57R6.pdf | |
![]() | CB7JB30R0 | RES 30 OHM 7W 5% CERAMIC WW | CB7JB30R0.pdf | |
![]() | RS010470R0FS73 | RES 470 OHM 10W 1% WW AXIAL | RS010470R0FS73.pdf | |
![]() | 40J3K9E | RES 3.9K OHM 10W 5% AXIAL | 40J3K9E.pdf |