창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-ZXMN2F30FHTA | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | ZXMN2F30FH | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
PCN 설계/사양 | Wafer Site/Bond Wire 8/Apr/2013 | |
PCN 조립/원산지 | Assembly/Test Site Addition 01/Jun/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1467 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 2.5V 구동 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4.1A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 45m옴 @ 2.5A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 4.8nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 452pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 960mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | SOT-23-3 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | ZXMN2F30FHTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | ZXMN2F30FHTA | |
관련 링크 | ZXMN2F, ZXMN2F30FHTA Datasheet, Diodes Incorporated Distributor |
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CBR06C159A1GAC | 1.5pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | CBR06C159A1GAC.pdf | ||
C901U152MYVDCAWL45 | 1500pF 400VAC 세라믹 커패시터 Y5V(F) 방사형, 디스크 0.276" Dia(7.00mm) | C901U152MYVDCAWL45.pdf | ||
F339MX241531MFP2B0 | 0.15µF Film Capacitor 310V 630V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.689" L x 0.197" W (17.50mm x 5.00mm) | F339MX241531MFP2B0.pdf | ||
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RCH664NP-271K | 270µH Unshielded Wirewound Inductor 360mA 1.12 Ohm Max Radial | RCH664NP-271K.pdf | ||
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RC0603FR-075R23L | RES SMD 5.23 OHM 1% 1/10W 0603 | RC0603FR-075R23L.pdf | ||
RR1220P-223-D | RES SMD 22K OHM 0.5% 1/10W 0805 | RR1220P-223-D.pdf | ||
RG1005P-1431-B-T5 | RES SMD 1.43KOHM 0.1% 1/16W 0402 | RG1005P-1431-B-T5.pdf |