Diodes Incorporated ZXMN3AM832TA
- 제조업체 부품 번호
- ZXMN3AM832TA
- 제조업 자
- Diodes Incorporated
- 제품 카테고리
- FET - 어레이
- 간단한 설명
- MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 8MLP
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ZXMN3AM832TA 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-ZXMN3AM832TA | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | ZXMN3AM832TA | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| PCN 단종/ EOL | MLP322, 832 Pkg 20/Dec/2010 | |
| 카탈로그 페이지 | 1468 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 컷 테이프(CT) | |
| 부품 현황 | 단종 | |
| FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2.9A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 120m옴 @ 2.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA(최소) | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 3.9nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 190pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 1.13W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-VDFN 노출형 패드 | |
| 공급 장치 패키지 | 8-MLP(3x2) | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 다른 이름 | ZXMN3AM832CT ZXMN3AM832TA-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | ZXMN3AM832TA | |
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