창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-ZXMN3B04N8TA | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | ZXMN3B04N8 | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
카탈로그 페이지 | 1467 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 2.5V 구동 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7.2A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 25m옴 @ 7.2A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 700mV @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 23.1nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2480pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 2W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SO | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | ZXMN3B04N8TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | ZXMN3B04N8TA | |
관련 링크 | ZXMN3B, ZXMN3B04N8TA Datasheet, Diodes Incorporated Distributor |
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![]() | GP10B-M3/54 | DIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL | GP10B-M3/54.pdf | |
![]() | 4N35SR2M | Optoisolator Transistor with Base Output 4170Vrms 1 Channel 6-SMD | 4N35SR2M.pdf | |
![]() | G5V-2-H-DC3 | General Purpose Relay DPDT (2 Form C) Through Hole | G5V-2-H-DC3.pdf | |
![]() | RC0603FR-07619KL | RES SMD 619K OHM 1% 1/10W 0603 | RC0603FR-07619KL.pdf | |
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![]() | RC12JT1K50 | RES 1.5K OHM 1/2W 5% AXIAL | RC12JT1K50.pdf | |
![]() | Y0075100K000A9L | RES 100K OHM 0.3W 0.05% RADIAL | Y0075100K000A9L.pdf |