Diodes Incorporated ZXMN6A08E6QTA
- 제조업체 부품 번호
- ZXMN6A08E6QTA
- 제조업 자
- Diodes Incorporated
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT23-6
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ZXMN6A08E6QTA 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-ZXMN6A08E6QTA | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | ZXMN6A08E6Q | |
| PCN 설계/사양 | Leadframe Material Update 09/Apr/2014 Date Code Mark Update 13/Jan/2015 | |
| PCN 기타 | Copper Bond Wire and Wafer Source 07/Nov/2013 | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2.8A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 80m옴 @ 4.8A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 5.8nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 459pF @ 40V | |
| 전력 - 최대 | 1.1W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SOT-23-6 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-26 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | ZXMN6A08E6QTADITR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | ZXMN6A08E6QTA | |
| 관련 링크 | ZXMN6A, ZXMN6A08E6QTA Datasheet, Diodes Incorporated Distributor | |
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