창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-ZXMN6A25DN8TA | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | ZXMN6A25DN8TA | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
카탈로그 페이지 | 1469 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3.8A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 50m옴 @ 3.6A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA(최소) | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 20.4nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1063pF @ 30V | |
전력 - 최대 | 1.8W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SOP | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | ZXMN6A25DN8TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | ZXMN6A25DN8TA | |
관련 링크 | ZXMN6A, ZXMN6A25DN8TA Datasheet, Diodes Incorporated Distributor |
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![]() | LT5400BCMS8E-3#TRPBF | RES ARRAY 4 RES MULT OHM 8TSSOP | LT5400BCMS8E-3#TRPBF.pdf | |
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![]() | Y0771249R000A0L | RES 249 OHM 1W 0.05% RADIAL | Y0771249R000A0L.pdf | |
![]() | P51-200-G-J-D-20MA-000-000 | Pressure Sensor 200 PSI (1378.95 kPa) Vented Gauge Male - 3/8" (9.52mm) UNF 4 mA ~ 20 mA Cylinder | P51-200-G-J-D-20MA-000-000.pdf |