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8MHz ±20ppm 수정 18pF 100옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD, 무연(DFN, LCC)


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DIODE GEN PURP 6KV 100MA AXIAL


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12MHz ±20ppm 수정 18pF 60옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD, 무연(DFN, LCC)


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16MHz ±20ppm 수정 18pF 50옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD, 무연(DFN, LCC)


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24MHz ±30ppm 수정 18pF 50옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD, 무연(DFN, LCC)


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25MHz ±20ppm 수정 18pF 50옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD, 무연(DFN, LCC)


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27MHz ±50ppm 수정 18pF 50옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD, 무연(DFN, LCC)


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680pF 500V 세라믹 커패시터 Y5R 방사형, 디스크 0.256" Dia(6.50mm)


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680pF 500V 세라믹 커패시터 Y5R 방사형, 디스크 0.256" Dia(6.50mm)


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680pF 500V 세라믹 커패시터 Y5R 방사형, 디스크 0.256" Dia(6.50mm)


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680pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 S3N 방사형, 디스크 0.256" Dia(6.50mm)


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680pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 Y5R 방사형, 디스크 0.335" Dia(8.50mm)


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680pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 Y5R 방사형, 디스크 0.335" Dia(8.50mm)


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680pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 Y5R 방사형, 디스크 0.335" Dia(8.50mm)


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680pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 Y5R 방사형, 디스크 0.335" Dia(8.50mm)


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680pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 Y5R 방사형, 디스크 0.335" Dia(8.50mm)


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680pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 Y5R 방사형, 디스크 0.335" Dia(8.50mm)


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680pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 Y5R 방사형, 디스크 0.335" Dia(8.50mm)


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680pF 2000V(2kV) 세라믹 커패시터 Y5R 방사형, 디스크 0.394" Dia(10.00mm)


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680pF 2000V(2kV) 세라믹 커패시터 Y5R 방사형, 디스크 0.394" Dia(10.00mm)


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680pF 2000V(2kV) 세라믹 커패시터 Y5R 방사형, 디스크 0.394" Dia(10.00mm)