창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5942BP/TR8 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | 1N5913BG-1N5956BG | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 51V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 1.5W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 70옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 1µA @ 38.8V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
표준 포장 | 1,500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | 1N5942BP/TR8 | |
관련 링크 | 1N5942, 1N5942BP/TR8 Datasheet, Microsemi Corporation Distributor |
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LP036F33CDT | 3.579545MHz ±30ppm 수정 18pF 150옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | LP036F33CDT.pdf | ||
31GF6-E3/54 | DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD | 31GF6-E3/54.pdf | ||
CRCW1210360RJNEAHP | RES SMD 360 OHM 5% 3/4W 1210 | CRCW1210360RJNEAHP.pdf | ||
CRCW25122M10FKTG | RES SMD 2.1M OHM 1% 1W 2512 | CRCW25122M10FKTG.pdf | ||
CRCW06035R10FKTB | RES SMD 5.1 OHM 1% 1/10W 0603 | CRCW06035R10FKTB.pdf | ||
MBA02040C1961FC100 | RES 1.96K OHM 0.4W 1% AXIAL | MBA02040C1961FC100.pdf | ||
CMF5533K200DHEK | RES 33.2K OHM 1/2W .5% AXIAL | CMF5533K200DHEK.pdf | ||
Y0075120R000F9L | RES 120 OHM 0.3W 1% RADIAL | Y0075120R000F9L.pdf | ||
Y00893K32000AR13L | RES 3.32K OHM 0.6W 0.05% RADIAL | Y00893K32000AR13L.pdf | ||
HSCDAND001BASA3 | Pressure Sensor 14.5 PSI (100 kPa) Absolute Male - 0.19" (4.93mm) Tube 12 b 8-DIP (0.524", 13.30mm), Top Port | HSCDAND001BASA3.pdf | ||
PS102J2 | NTC Thermistor 1k Bead | PS102J2.pdf |