NXP Semiconductors BUK7675-55A,118
- 제조업체 부품 번호
- BUK7675-55A,118
- 제조업 자
- NXP Semiconductors
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 55V 20.3A D2PAK
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
BUK7675-55A,118 가격 및 조달
가능 수량
1950 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 334.33171
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of BUK7675-55A,118, we specialize in all series NXP Semiconductors electronic components. BUK7675-55A,118 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BUK7675-55A,118, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- BUK7675-55A,118 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
BUK7675-55A,118 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-BUK7675-55A,118 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | BUK7675-55A | |
| PCN 포장 | Reel Trailer Update 08/May/2015 Reel Trailer Revision 14/Sep/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | NXP Semiconductors | |
| 계열 | 자동차, AEC-Q101, TrenchMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 20.3A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 75m옴 @ 10A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 483pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 62W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | D2PAK | |
| 표준 포장 | 800 | |
| 다른 이름 | 568-9659-2 934056270118 BUK7675-55A /T3 BUK7675-55A /T3-ND BUK7675-55A,118-ND BUK767555A118 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | BUK7675-55A,118 | |
| 관련 링크 | BUK7675, BUK7675-55A,118 Datasheet, NXP Semiconductors Distributor | |
BUK7675-55A,118 의 관련 제품
 | EEU-FC1C102 | 1000µF 16V Aluminum Capacitors Radial, Can 3000 Hrs @ 105°C | EEU-FC1C102.pdf | |
 | D270G25U2JL6UJ5R | 27pF 500V 세라믹 커패시터 U2J 방사형, 디스크 0.256" Dia(6.50mm) | D270G25U2JL6UJ5R.pdf | |
 | VJ0805D390JXXAP | 39pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D390JXXAP.pdf | |
 | C1210C334K1RALTU | 0.33µF 100V 세라믹 커패시터 X7R 1210(3225 미터법) 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | C1210C334K1RALTU.pdf | |
| C907U100DYNDBAWL40 | 10pF 400VAC 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사형, 디스크 0.276" Dia(7.00mm) | C907U100DYNDBAWL40.pdf | |
| B32560J8682K | 6800pF Film Capacitor 400V 630V Polyester, Polyethylene Terephthalate (PET), Metallized - Stacked 2-DIP 0.354" L x 0.126" W (9.00mm x 3.20mm) | B32560J8682K.pdf | |
 | F339X121548MD02W0 | 1500pF Film Capacitor 480V 1000V (1kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.492" L x 0.158" W (12.50mm x 4.00mm) | F339X121548MD02W0.pdf | |
| B32562J8224K289 | 0.22µF Film Capacitor 350V 630V Polyester, Polyethylene Terephthalate (PET), Metallized - Stacked 2-DIP | B32562J8224K289.pdf | |
| CPPC7L-A3B6-9.210TS | 9.21MHz CMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 25mA Enable/Disable | CPPC7L-A3B6-9.210TS.pdf | |
 | SIT3809AI-2-28NG | 80MHz ~ 220MHz LVCMOS, LVTTL MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 2.8V 36mA | SIT3809AI-2-28NG.pdf | |
 | NS10145T331MNA | 330µH Shielded Wirewound Inductor 640mA 840 mOhm Max Nonstandard | NS10145T331MNA.pdf | |
 | RS02B1K500FE70 | RES 1.5K OHM 3W 1% WW AXIAL | RS02B1K500FE70.pdf |
