NXP Semiconductors BUK7Y12-80EX
- 제조업체 부품 번호
- BUK7Y12-80EX
- 제조업 자
- NXP Semiconductors
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 80V LFPAK
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
BUK7Y12-80EX 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- N/A
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of BUK7Y12-80EX, we specialize in all series NXP Semiconductors electronic components. BUK7Y12-80EX can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BUK7Y12-80EX, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- BUK7Y12-80EX 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
BUK7Y12-80EX 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-BUK7Y12-80EX | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 표준 포장 | 1,500 | |
| 다른 이름 | 934067421115 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | NXP Semiconductors | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 견적 필요 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 80V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | - | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | - | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
| 전력 - 최대 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SC-100, SOT-669, 4-LFPAK | |
| 공급 장치 패키지 | LFPAK, 전원-SO8 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | BUK7Y12-80EX | |
| 관련 링크 | BUK7Y1, BUK7Y12-80EX Datasheet, NXP Semiconductors Distributor | |
BUK7Y12-80EX 의 관련 제품
 | TM3E476K020EBA | 47µF Molded Tantalum Capacitors 20V 2917 (7343 Metric) 600 mOhm 0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm) | TM3E476K020EBA.pdf | |
 | 2036-25-SM-RPLF | GDT 250V 20% 10KA SURFACE MOUNT | 2036-25-SM-RPLF.pdf | |
 | 0ZRB0700FF1A | PTC RESETTABLE 30V 7.00A RADIAL | 0ZRB0700FF1A.pdf | |
| HC-49/U-S6176000ABJB | 6.176MHz ±30ppm 수정 18pF 100옴 -10°C ~ 60°C 스루홀 HC49/US | HC-49/U-S6176000ABJB.pdf | |
 | AT-25.000MAHE-T | 25MHz ±30ppm 수정 12pF 50옴 -40°C ~ 85°C AEC-Q200 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | AT-25.000MAHE-T.pdf | |
 | TK18E10K3,S1X(S | MOSFET N-CH 100V 18A TO-220AB | TK18E10K3,S1X(S.pdf | |
 | ASPI-0428S-820M-T | 82µH Shielded Wirewound Inductor 320mA 914.8 mOhm Max Nonstandard | ASPI-0428S-820M-T.pdf | |
.jpg) | RT0603BRC0761K9L | RES SMD 61.9KOHM 0.1% 1/10W 0603 | RT0603BRC0761K9L.pdf | |
 | RCP2512W16R0GS2 | RES SMD 16 OHM 2% 22W 2512 | RCP2512W16R0GS2.pdf | |
 | CPCC039R100JE66 | RES 9.1 OHM 3W 5% RADIAL | CPCC039R100JE66.pdf | |
| Y1453735R000V0L | RES 735 OHM 0.6W 0.005% RADIAL | Y1453735R000V0L.pdf | |
| MS46LR-20-610-Q1-50X-50R-NC-FP | SYSTEM | MS46LR-20-610-Q1-50X-50R-NC-FP.pdf |
