창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-CC0603JRX7R9BB123 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | CC Series, Class 2 X7R Datasheet | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 세라믹 커패시터 | |
제조업체 | Yageo | |
계열 | CC | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
정전 용량 | 0.012µF | |
허용 오차 | ±5% | |
전압 - 정격 | 50V | |
온도 계수 | X7R | |
실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
응용 제품 | 범용 | |
등급 | - | |
패키지/케이스 | 0603(1608 미터법) | |
크기/치수 | 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | |
높이 - 장착(최대) | - | |
두께(최대) | 0.035"(0.90mm) | |
리드 간격 | - | |
특징 | - | |
리드 유형 | - | |
표준 포장 | 4,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | CC0603JRX7R9BB123 | |
관련 링크 | CC0603JR, CC0603JRX7R9BB123 Datasheet, Yageo Distributor |
![]() | UMW0G330MDD | 33µF 4V Aluminum Capacitors Radial, Can 1000 Hrs @ 85°C | UMW0G330MDD.pdf | |
![]() | C1206F105K5RACAUTO | 1µF 50V 세라믹 커패시터 X7R 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | C1206F105K5RACAUTO.pdf | |
![]() | S103M47Z5UN6BK7R | 10000pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 Z5U 방사형, 디스크 0.472" Dia(12.00mm) | S103M47Z5UN6BK7R.pdf | |
![]() | 416F440X3ATR | 44MHz ±15ppm 수정 6pF 100옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F440X3ATR.pdf | |
![]() | VS-309UA160 | DIODE GEN PURP 1.6KV 330A DO205 | VS-309UA160.pdf | |
NTMFD4C20NT3G | MOSFET 2N-CH 30V SO8FL | NTMFD4C20NT3G.pdf | ||
![]() | HM86-11600LFTR | 1.6mH @ 100kHz 2 Line Common Mode Choke Surface Mount 500mA DCR 350.5 mOhm | HM86-11600LFTR.pdf | |
![]() | ERJ-3EKF13R3V | RES SMD 13.3 OHM 1% 1/10W 0603 | ERJ-3EKF13R3V.pdf | |
![]() | RT0805WRC0753K6L | RES SMD 53.6KOHM 0.05% 1/8W 0805 | RT0805WRC0753K6L.pdf | |
![]() | RG2012V-8060-W-T5 | RES SMD 806 OHM 0.05% 1/8W 0805 | RG2012V-8060-W-T5.pdf | |
![]() | CMF5525R000BHR6 | RES 25 OHM 1/2W 0.1% AXIAL | CMF5525R000BHR6.pdf | |
![]() | MLH02KPSB10A | Pressure Sensor 2000 PSI (13789.51 kPa) Sealed Gauge Male - 7/16" (11.11mm) UNF 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder, Metal | MLH02KPSB10A.pdf |