Diodes Incorporated DEMD48-7
- 제조업체 부품 번호
- DEMD48-7
- 제조업 자
- Diodes Incorporated
- 제품 카테고리
- 트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드
- 간단한 설명
- TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
DEMD48-7 가격 및 조달
가능 수량
2535 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 142.53000
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of DEMD48-7, we specialize in all series Diodes Incorporated electronic components. DEMD48-7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DEMD48-7, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- DEMD48-7 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
DEMD48-7 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-DEMD48-7 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | DEMD48 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 컷 테이프(CT) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | 1 NPN, 1 PNP - 사전 바이어싱됨(이중) | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
| 저항기 - 베이스(R1)(옴) | 47k, 2.2k | |
| 저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | 47k | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 5V / 100 @ 10mA, 5V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA / 100mV @ 250µA, 5mA | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 1µA | |
| 주파수 - 트랜지션 | - | |
| 전력 - 최대 | 300mW | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SOT-563, SOT-666 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-563 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 다른 이름 | 1034-DEMD48DICT | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | DEMD48-7 | |
| 관련 링크 | DEMD, DEMD48-7 Datasheet, Diodes Incorporated Distributor | |
DEMD48-7 의 관련 제품
 | ESMH630VNN332MQ30W | 3300µF 63V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 75 mOhm 2000 Hrs @ 85°C | ESMH630VNN332MQ30W.pdf | |
 | 12065A6R2CAT2A | 6.2pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | 12065A6R2CAT2A.pdf | |
 | VJ1210Y681JXLAT5Z | 680pF 630V 세라믹 커패시터 X7R 1210(3225 미터법) 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | VJ1210Y681JXLAT5Z.pdf | |
 | SMBJ150D-M3/I | TVS DIODE 150VWM 239VC DO214AA | SMBJ150D-M3/I.pdf | |
 | ABM7-16.000MHZ-D2Y-T | 16MHz ±20ppm 수정 18pF 50옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD, 무연(DFN, LCC) | ABM7-16.000MHZ-D2Y-T.pdf | |
 | 590WA-BDG | 125MHz ~ 214.999MHz CML XO (Standard) Programmable Oscillator Surface Mount 1.8V 110mA Enable/Disable | 590WA-BDG.pdf | |
 | BSO303P H | MOSFET 2P-CH 30V 7A 8DSO | BSO303P H.pdf | |
 | IPI90R340C3XKSA1 | MOSFET N-CH 900V 15A TO-262 | IPI90R340C3XKSA1.pdf | |
 | ASPI-0320S-100M-T3 | 10µH Shielded Wirewound Inductor 770mA 241 mOhm Max Nonstandard | ASPI-0320S-100M-T3.pdf | |
-MHQ-Series.jpg) | MHQ0402P2N2BT000 | 2.2nH Unshielded Multilayer Inductor 250mA 400 mOhm Max 01005 (0402 Metric) | MHQ0402P2N2BT000.pdf | |
.jpg) | AR0805FR-071R07L | RES SMD 1.07 OHM 1% 1/8W 0805 | AR0805FR-071R07L.pdf | |
 | BGA427H6327XTSA1 | RF Amplifier IC General Purpose 0Hz ~ 3GHz PG-SOT343-4 | BGA427H6327XTSA1.pdf |
