ON Semiconductor EFC6602R-A-TR

EFC6602R-A-TR
제조업체 부품 번호
EFC6602R-A-TR
제조업 자
제품 카테고리
FET - 어레이
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MOSFET 2N-CH EFCP
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내부 부품 번호EIS-EFC6602R-A-TR
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
표준 포장 5,000
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 어레이
제조업체ON Semiconductor
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형2 N 채널(이중) 공통 드레인
FET 특징논리 레벨 게이트, 2.5V 구동
드레인 - 소스 전압(Vdss)-
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C-
Rds On(최대) @ Id, Vgs-
Id 기준 Vgs(th)(최대)-
게이트 전하(Qg) @ Vgs55nC(4.5V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds-
전력 - 최대2W
작동 온도150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스6-XFBGA
공급 장치 패키지6-EFCP(2.7x1.81)
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)EFC6602R-A-TR
관련 링크EFC660, EFC6602R-A-TR Datasheet, ON Semiconductor Distributor
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